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于迪

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇存储器
  • 6篇电极
  • 5篇半导体
  • 5篇衬底
  • 4篇电路
  • 3篇电阻
  • 3篇氧化物
  • 3篇晶体管
  • 3篇半导体制造
  • 3篇半导体制造技...
  • 3篇串联方式
  • 3篇存储密度
  • 3篇存储器件
  • 2篇电连接
  • 2篇电路实现
  • 2篇电压激励
  • 2篇电阻网络
  • 2篇信号
  • 2篇信号产生
  • 2篇延时

机构

  • 18篇北京大学

作者

  • 18篇于迪
  • 17篇陈冰
  • 17篇刘力锋
  • 17篇康晋锋
  • 13篇高滨
  • 9篇王漪
  • 9篇韩德栋
  • 9篇张兴
  • 8篇张飞飞
  • 7篇李悦
  • 4篇陈沅沙
  • 3篇黄鹏
  • 3篇马龙
  • 2篇傅亦晗
  • 2篇王琰
  • 2篇李博洋
  • 2篇韩汝琦

年份

  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多阻态阻变存储器及利用其实现多阻态的方法
本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种多阻态阻变存储器，自上而下包括：顶电极、阻变层和底电极，其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO<Sub>2...
刘力锋于迪高滨陈冰张飞飞康晋锋
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一种基于阻变器件的加法器电路
本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种基于阻变器件的加法器电路。本发明利用具有多个阻态的阻变器件来构建加法器电路，减少了由进位信号产生的额外电路，减少电路实现面积和延时，降低电路成本；此外，经过简单的电路改动即可同...
刘力锋于迪陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘晓彦康晋锋
利用RRAM器件实现逻辑运算的方法
本发明公开了一种利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，包括：将两个RRAM器件相互串联或并联连接；将所述两个RRAM器件串联或并联后的两端作为电阻网络端口；对所述两个RRAM器件的电极端施加逻辑运算信号；由所述两个电阻网络...
刘力锋于迪黄鹏陈冰高滨马龙康晋锋
文献传递
双极阻变存储器件
本申请公开了一种双极阻变存储器件，包括阻变元件，包括阻变材料层和与阻变材料层接触的至少一个电极，以及反向二极管，包括相反导电类型的两个掺杂区，在两个掺杂区之间的界面上形成pn结，其中，反向二极管与阻变元件串联连接。该双极...
康晋锋张飞飞高滨黄鹏陈冰于迪马龙后羿刘力锋刘晓彦
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忆阻器件及其制备方法
本发明公开了一种忆阻器件，包括衬底层，所述衬底层之上有多层隔离层，每两层隔离层之间包括一层忆阻单元，忆阻单元包括两层可动离子阻挡层和中间的平面电极层；还包括从最上层的隔离层刻蚀至最下层隔离层的顶电极刻蚀槽；所述顶电极刻蚀...
刘力锋后羿李悦于迪陈冰高滨韩德栋王漪康晋锋张兴
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一种多阻态忆阻器
本发明提供了一种多阻态忆阻器，包括:自下而上依次生成的底电极层、阻变层、顶电极层，其中底电极层和顶电极层用于与外部电源进行电连接，阻变层用于实现多阻态之间的转换；使多阻态忆阻器工作在单、双极两种操作方式下，不同阻值间的变...
刘力锋后羿陈冰李悦于迪高滨韩德栋王漪康晋锋张兴
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一种氧化物电阻存储器件及其制备方法
本发明公开了一种氧化物电阻存储器件，包括衬底，位于所述衬底上的底电极，位于所述底电极上的氧化物控制层，位于所述氧化物控制层上的氧化物阻变层，以及位于所述氧化物阻变层上的顶电极。该器件制备工艺简单、性能可靠，提高了氧化物阻...
刘力锋高滨陈冰张飞飞李博洋于迪陈沅沙康晋锋韩汝琦
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利用RRAM器件实现逻辑运算的方法
本发明公开了一种利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，包括：将两个RRAM器件相互串联或并联连接；将所述两个RRAM器件串联或并联后的两端作为电阻网络端口；对所述两个RRAM器件的电极端施加逻辑运算信号；由所述两个电阻网络...
刘力锋于迪黄鹏陈冰高滨马龙康晋锋
阻变存储器的制备方法及阻变存储器
本发明公开了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，所述方法包括以下步骤：A：通过丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到衬底上，再经热处理得到金属字线；B：采用溶胶凝胶法制备金属氧化物浆料；C：采用丝网印刷机将配置好的金...
刘力锋于迪陈冰王琰傅亦晗韩德栋王漪刘晓彦康晋锋张兴
基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现
本发明公开了基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现，该柔性存储器包括串联的薄膜晶体管和忆阻器，薄膜晶体管的衬底为柔性衬底。该方法包括如下步骤：在忆阻器件的RESET过程中，对忆阻器件施加栅压，同时在薄膜晶体管的...
刘力锋后羿李悦于迪陈冰高滨韩德栋王漪康晋锋张兴
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