仲莉
- 作品数：83 被引量：151H指数：9
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺更多>>
- 一种半导体激光器
- 本公开提供了一种半导体激光器，包括：过渡热沉；散热结构，设置于过渡热沉的上表面，散热结构的横截面为梯形，梯形的下底与过渡热沉的上表面相接触；半导体激光器管芯，包括有源区，半导体激光器管芯设置于散热结构的上表面，半导体激光...
- 王振诺仲莉马骁宇刘素平
- 可调谐垂直腔面发射激光器支撑结构优化设计被引量：3
- 2023年
- 基于微机电系统(MEMS)的850 nm可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL),设计了一种双曲线梁结构,以提升器件机械和调谐特性。通过分析传统等截面梁结构的受力情况,提出了双曲线结构优化设计,将梁结构端面的面积增大从而降低最大应力。理论仿真结果表明:优化后器件上反射镜的最大偏移量基本保持不变,支撑梁上下表面的最大应力分别降低了23.4%和17.0%,谐振频率增大了7.9%;当MEMS-VCSEL分别为半导体腔主导(SCD)结构和空气腔主导(ACD)结构时,波长调谐范围分别为16.6 nm和42 nm。该优化方式的优势在于不需要改变激光器的结构,同时可与其他优化方式兼容,具有一定的应用前景。
- 吕家纲李伟戚宇轩潘智鹏仲莉刘素平马骁宇
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器可调谐激光器微机电系统机械特性调谐特性
- 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器
- 一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印工艺，在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形；将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀，反应气体为C...
- 王海丽赵懿昊张奇王文知仲莉刘素平马骁宇
- 文献传递
- 一种热沉、制备方法及其在半导体激光器中的应用
- 一种热沉，包括独立制作的散热小通道层(1)、回水通道层(2)和底座(3)，其中散热小通道层(1)和回水通道层(2)中开设有多个供冷却介质流通的通道，小通道可通过线切割方式加工。以及一种热沉的制备方法。本发明的热沉可以满足...
- 倪羽茜井红旗仲莉张俊杰马骁宇
- 文献传递
- 975nm分离电极锥形半导体激光器特性分析被引量：7
- 2021年
- 锥形半导体激光器具有能够同时获得高输出功率和高光束质量的优良特点。介绍了分离电极锥形器件的锥角选择、制作工艺、光电特性等;分析了脊形区电流和锥形区电流对器件光束质量和近场特性的影响。制作的器件总腔长为5.5 mm(脊形区长度为1.5 mm,锥形区长度为4 mm),锥角为5°,器件输出功率为7 W。在脊形区电流为400 mA、锥形区电流为7 A时,器件的输出功率为6.4 W,光束质量因子M2为1.66(1/e^(2)),亮度达到369 MW·cm^(-2)·sr^(-1)。
- 曼玉选仲莉马骁宇刘素平刘素平
- 关键词：激光光学半导体激光器光束质量
- 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器，包括：P型衬底；在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层；在P型限制层上形成有P型波导层；在P型波导层上形成有有源层；在有源层上形成有N型波导层，N型波导层...
- 刘振武仲莉马骁宇刘素平熊聪
- 文献传递
- 激光器的制备方法及激光器
- 本公开提供了一种激光器的制备方法及激光器，其制备方法包括：提供衬底。在衬底上形成包括未混杂的有源区的外延层。在外延层上的部分区域形成至少一层混杂层，用于提供目标离子。在混杂层和外延层上的裸露区域上形成抑制层，以抑制未被混...
- 马骁宇何天将刘素平井红旗刘振武仲莉
- 锥形半导体激光器分离电极热沉
- 本公开提供一种锥形半导体激光器分离电极热沉，包括：散热基底，设置有凹槽，能够为设置于所述凹槽底部的半导体激光器芯片进行散热；绝缘体组，包括两个绝缘体，对应设置于所述半导体激光器芯片两侧的凹槽底部；以及分离电极，用于为所述...
- 张娜玲袁庆贺井红旗仲莉刘素平马骁宇
- 半导体激光器二极管封装夹具
- 一种半导体激光器二极管封装夹具，包括：一插座，为一柱状结构，其侧面相对切出两条V形槽，并在该插座一侧的端面上加工有三个电极插孔；一夹具前座，为金属材质，为板状U形件，在U形件的U形槽内的两侧开有两极台阶，在U形槽的两侧开...
- 李全宁仲莉白一鸣马晓宇
- 基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀)被引量：1
- 2022年
- 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一。为制备高功率和高可靠性半导体器件,初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术,并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺。采用循环退火方式,研究了不同条件下Si杂质诱导量子阱混杂的效果,当退火温度为830℃,退火时间为10 min,循环次数为3次时,达到最大波长蓝移量59 nm。分别在800℃5次10 min和830℃3次10 min退火条件下制备了非吸收窗口。与普通器件相比,制备非吸收窗口的器件阈值电流增大,斜率效率下降,工作电流大于10 A后器件斜率效率降低,电流-工作电流曲线呈现饱和趋势。相较之下,800℃5次10 min条件下对应的器件性能相对较好。工作电流达到15 A后普通器件失效,而制备了非吸收窗口的器件则在电流大于20 A后仍可正常工作,腔面光学灾变损伤阈值提高了33.0%以上。
- 王予晓朱凌妮仲莉祁琼祁琼李伟刘素平
- 关键词：半导体激光器量子阱混杂硅退火
