何大伟
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 内匹配型Ku波段8W功率器件被引量：1
- 2007年
- 已成功研制出总栅宽为6.4 mm,栅长为0.35μm的GaAs功率PHEMT,其中对器件结构、栅挖槽等工艺进行了改进.两管芯合成的内匹配器件当Vds=8 V,输入功率Pin=32 dBm时,在f=14.0-14.5 GHz频段内,输出功率Po≥39.18dBm,功率增益Gp〉7 dB,功率附加效率[PAE]〉30%,两管芯合成效率大于88%,其中在14.1 GHz频率点,输出功率达到39.43 dBm,增益7.43 dB.
- 吴小帅杨瑞霞何大伟邱旭杨克武
- 关键词：内匹配PHEMT
- 13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件
- 2007年
- 经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管芯合成效率大于90%,其中在14.3GHz频率点,输出功率达到42.54dBm（17.9W）,增益7.54dB.
- 吴小帅杨瑞霞阎德立刘岳巍贾科进何大伟杨克武
- 关键词：内匹配HFET功率合成
