余庆
- 作品数：22 被引量：8H指数：2
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- 一种半导体管芯基板
- 本实用新型公开了一种半导体管芯基板，芯管基片上下两侧的划片槽内均开设有第一对位标记，芯管基片左右两侧的划片槽内均开设有第二对位标记，第一对位标记包括以3行7列形式设置的第一对位因子，第二对位标记包括以3列8行形式设置的第...
- 陈昂刘炜张晓新余庆赵铝虎陆辉葛亚英周卫宏张洪波
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- 一种高压大电流IGBT的设计与实现被引量：2
- 2014年
- 提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、终端结构、工艺流程及版图的设计。通过分析及仿真确定元胞的结构参数;采用场限环与场板相结合的终端结构,讨论场板的设置对终端结构的影响,提出了多晶硅场板设置的方案;流片完成后进行半桥模块的封装,并对模块进行了测试。击穿电压达1 700 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 ns、关断功耗小于30 mJ,均达到设计要求。导通饱和压降3.5 V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进。
- 张炜余庆张斌张世峰韩雁
- 关键词：终端结构高压大电流
- 一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺
- 本发明公开了一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）外延材料高温炉管进行反推作业，温度1200—1250度，时间为60分钟；2）漂尽反推形成的厚氧，重新生长厚场氧，保护环光刻、刻蚀、环杂...
- 鄢细根张晓新余庆何火军潘国刚周卫宏赵铝虎张敏森陈晓静阚志国
- 文献传递
- 中低压大电流VDMOS器件
- 何火军余庆廖洪志张晓新张月中朱优莉朱国夫杨振江秉润潘国刚秦永星蔡远飞赵铝虎郦霞鄢细根马洁荪
- 简要技术说明该项目产品中，50N06采用外延自掺杂技术，具有导通电阻低，输出电流大特点；20N50采用第二代SPACE新工艺，平底阱结构以及浅P+结构，改善了EAS能力，降低了导通电阻，提高了元胞集成度；9N90采用JF...
- 关键词：
- 关键词：分立器件半导体器件
- 耐高压大电流IGBT管芯的设计与工艺关键技术研究
- 2014年
- IGBT广泛应用于电子、新能源、铁路交通、智能电网等领域.由于难以克服IGBT关键的减薄工艺与背面集电极工艺难题,1 200 V以上的耐高压IGBT领域还是少有产品问世.文章主要研究1 700 V高压的IGBT管芯结构设计和制造的关键工艺,包括双面深结扩散工艺、背面透明集电极工艺、结终端结构设计及版图设计等.这些关键技术的应用提升了IGBT管芯的耐高压性能和工作稳定性、可靠性.
- 朱国夫余庆李晓敏章志明周家泉
- 关键词：IGBT
- 一种工艺废水回收系统
- 本实用新型公开了一种工艺废水回收系统，包括回收水箱和纯水生产原水箱；所述的回收水箱和纯水生产原水箱的顶部分别开设有溢流口；所述的纯水生产原水箱顶部还通过管路与自来水补入口相连；所述的纯水生产原水箱底部通过管路与第二水泵相...
- 张敏森张晓新余庆方勇进张国成赵江波杨勇王艳兵
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- 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
- 本实用新型公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，属于集成电路设计/制造领域，包括硅衬底，以及依次生长在硅衬底上的埋层、外延层和绝缘层，其中，所述外延层上设有基区、上隔离区、下隔离区和磷桥区，基区的外侧环绕设有基区沟...
- 鄢细根杨振张晓新朱国夫余庆廖洪志赵铝虎潘国刚黄少南
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- 电源类芯片测试修调方法及问题分析被引量：2
- 2018年
- IC芯片设计中为了降低工艺波动对产品良率的影响,提高测试成品率保证参数一致性,通常采用修调方式,尤其在电源类芯片设计中较常见。其中最典型的修调方式就是产品在晶圆测试时,通过熔丝或二极管的修调补偿来调整电路的输出基准和频率,也有的是调整电流。该文主要通过几个电源类芯片测试实例来讲解CP测试中常见的TRIMMING方法,探讨修调测试中易出现的问题和相应的解决方案。
- 张敏森余庆杨勇
- 关键词：熔丝二极管
- 一种双层布线平坦化加工工艺
- 本发明公开了一种双层布线平坦化加工工艺，包括如下步骤：1）第一层金属淀积；2）一次金属光刻；3）一次金属湿刻；4）一次金属干刻；5）一次LPCVDSiO<Sub>2</Sub>淀积；6）平坦化介质涂布；7）固化；8）进行...
- 阚志国张晓新赵铝虎余庆张敏森周卫宏潘国刚
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- 一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法
- 本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着...
- 潘国刚张晓新余庆赵铝虎周卫宏何火军傅劲松鄢细根张敏森
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