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注入剂量和低温退火对硅离子注入热氧化硅层发光特性的影响: 2011年; 采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源制得了SiO2:Si辐照层。样品的室温可见PL谱峰位集中在560～700nm的4个谱带;Raman谱表明样品中没有纳米硅晶形成,XPS谱检测到富氧和缺氧两种价键结构。560nm发光中心起源于氧化硅层中的富氧结构缺陷SPR,620～700nm的谱峰均源自非桥氧空穴中心NBOHC。研究了注入剂量和退火温度对缺陷发光特性的影响。结果表明,当Si离子注入剂量小于6×1016 cm2时,伴随注入剂量的增加观察到PL谱带强度单调上升;当注入剂量超过6×1016 cm2时,因过量离子注入引发的浓度猝灭致使PL谱带发光强度显著减弱;注入剂量6×1016 cm2的样品在200～500℃温度范围内退火后相应的PL谱两个子谱带呈现相反的温度变化趋势,这种差异是由于作为发光中心的SPR和NBOHC具有不同的热诱导生长机制而导致的。; 赵勇侯硕俞进方利广郑军盛广沪; 关键词：离子注入氧化硅辐照损伤

离子注入法制备富硅氧化硅薄膜的发光特性研究: 由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3-5个数量级,无法满足光电子器件的需要,完全的硅基光电子集成网络也一直未能面市。将富余的硅元素掺杂进SiO2基体中可以引入不同特性的发光中心,从而获得多种光谱范围...; 侯硕; 关键词：离子注入氧化硅薄膜发光特性

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侯硕