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冯雪飞

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电子结构
  • 2篇电子能
  • 2篇同步辐射光电...
  • 2篇子结构
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 1篇化学反应
  • 1篇共轭
  • 1篇共轭聚合物
  • 1篇XPS
  • 1篇AL
  • 1篇CA
  • 1篇表面形貌

机构

  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 2篇朱俊发
  • 2篇冯雪飞
  • 1篇赵伟
  • 1篇张亮
  • 1篇张文华
  • 1篇郭玉献

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
F8BT薄膜表面形貌及与Al形成界面的电子结构和反应
2015年
基于共轭聚合物光电器件的性能与聚合物的表面形貌、分子取向、以及与金属电极形成的界面结构密切相关.本文利用原子力显微镜(AFM)、同步辐射光电子能谱(SRPES)和近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等,研究了聚(9,9-二辛基芴并苯噻二唑)(F8BT)薄膜的表面形貌、分子取向及其与Al电极形成界面过程的结构变化.结果表明,在略低于F8BT玻璃转变温度(Tg=130℃)条件下对F8BT薄膜进行退火,可明显增加薄膜的表面粗糙度,薄膜中F8BT的分子取向角约为49,9,9-二辛基芴单元(F8)与苯噻唑单元(BT)几乎在同一平面.在Al/F8BT界面形成过程中,Al与F8BT中的C,N和S均发生不同程度的化学反应,并导致价带结构和未占据分子轨道(LUMO)态密度的变化.Al对F8BT进行n型掺杂引起F8BT能带弯曲的同时,未占据能级被部分占据,更多的电子将被注入到LUMO+1中.通过考察价带电子结构、芯能级位移及二次截止边的变化,绘制了清晰的Al/F8BT界面能级图.
潘宵鞠焕鑫冯雪飞范其瑭王嘉兴杨耀文朱俊发
关键词:表面形貌同步辐射光电子能谱
Ca与共轭聚合物P3HT界面处的电子结构和化学反应被引量:2
2009年
运用自旋涂膜(spin-coating)技术在清洁的Si片衬底上制备出共轭聚合物(regioregular poly(3-hexylthiophene),rr-P3HT)薄膜样品,利用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合常规X射线光电子能谱(XPS),原位观测金属Ca在rr-P3HT表面沉积过程中的化学反应与界面电子结构.发现在Ca沉积过程中,Ca不仅引起rr-P3HT能带弯曲,而且选择性地与rr-P3HT中的S元素发生化学反应,而与C元素没有明显的化学反应.同时,通过对Ca/rr-P3HT界面的价带和二次电子截止边变化的考察,获得了Ca/rr-P3HT界面清晰的能级排布图像.
赵伟郭玉献冯雪飞张亮张文华朱俊发
关键词:同步辐射光电子能谱XPSCA化学反应电子结构
共1页<1>
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