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刘俊

作品数:2 被引量:16H指数:2
供职机构:中国计量学院光学与电子科技学院更多>>
发文基金:浙江省大学生科技创新活动计划(新苗人才计划)项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇密度泛函
  • 2篇密度泛函理论
  • 2篇泛函
  • 2篇泛函理论
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子结构
  • 1篇子结构
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  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇分子
  • 1篇分子吸附
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS2

机构

  • 2篇中国计量学院

作者

  • 2篇梁培
  • 2篇舒海波
  • 2篇刘俊
  • 2篇吴琼
  • 1篇董前民
  • 1篇刘阳
  • 1篇沈涛

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 2篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
硫化锡电子结构和光学性质的量子尺寸效应被引量:3
2014年
基于密度泛函理论的第一性原理计算,系统研究了硫化锡(SnS)晶体、纳米单层及多层的结构稳定性、电子结构和光学性质.结果表明:由于相对弱的层间范德瓦尔斯力作用,SnS单层纳米片可以像石墨烯等二维材料一样从块体中剥离出来;受制于量子尺寸效应和层间相互作用的影响,SnS的结构稳定性随层数减少而逐渐减弱,其带隙随层数减少而逐渐增大;由于材料的本征激发和吸收取决于电子结构,因此改变SnS材料的层数可以到达调控其光学性质的目的;SnS块体和纳米结构的主要光学吸收峰起源于Sn-5s,5p和S-2p轨道之间的电子跃迁;并且从块体到单层纳米结构,SnS的光学吸收峰出现明显的蓝移.本文的研究将有助于SnS材料在太阳能电池领域的应用.
吴琼刘俊董前民刘阳梁培舒海波
关键词:密度泛函理论电子结构光学性质
单层MoS_2分子掺杂的第一性原理研究被引量:13
2014年
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算,研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS2进行化学掺杂.计算结果表明有机分子与MoS2单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力.吸附不同有机分子的单层MoS2结构均表现出间接带隙的特征,还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ,TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸附的分子来实现对单层MoS2的掺杂类型的调控.本文的研究结果将对单层MoS2在晶体管中的应用提供理论基础和指导.
刘俊梁培舒海波沈涛邢凇吴琼
关键词:MOS2密度泛函理论
共1页<1>
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