刘先才
- 作品数：3 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 钨酸铅闪烁晶体生长与掺杂的研究
- 钨酸铅晶体密度高,辐射长度短,衰减快,抗辐照能力强,价格便宜,是用作西欧核子研究中心即将建造的大型强子对撞机中精密电磁量能器的探测材料.目前对PWO晶体的研究集中在大尺寸晶体的生长与晶体闪烁性能的改进上.该论文就PWO晶...
- 刘先才
- 关键词：钨酸铅晶体
- Sb掺杂钨酸铅晶体中Sb的分布与闪烁特性研究被引量：3
- 1999年
- 研究了 Ｂｒｉｄｇｍａｎ 法生长的 Ｓｂ 掺杂钨酸铅（ Ｐ Ｗ Ｏ） 晶体中 Ｓｂ 的分布和闪烁特性。晶体中 Ｓｂ 含量的测定表明， Ｓｂ 在 Ｐ Ｗ Ｏ 晶体中的分凝系数约为０ ．６３ 。由于 Ｓｂ 掺杂可以补偿 Ｐ Ｗ Ｏ 晶体的组分缺失而降低其中空位和一些色心的浓度，与未掺杂晶体相比较， Ｓｂ 掺杂晶体具有更好的光学透过率和更高的发光强度。而且，在富氧气氛下退火后， Ｓｂ 掺杂晶体的发光谱特征变化较小，仍能保持较高的快慢分量比。
- 刘先才胡关钦冯锡淇张明荣徐力殷之文
- 关键词：掺杂钨酸铅晶体发光强度闪烁晶体锑
- 大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长被引量：10
- 2002年
- 报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
- 陈之战肖兵施尔畏庄击勇刘先才
- 关键词：6H-SIC半导体碳化硅单晶晶体生长微管道
