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一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法: 本发明公开了一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法，包括：第一铁电层、第二铁电层、第一隧穿栅、第二隧穿栅、控制栅、第一介质层、第二介质层、源极、源区、第一沟道区、阻挡层、第二沟道区、漏区、漏极、鳍型沟道区。本发明...; 刘虎李佩锋周晓瑜李余斌潘磊王鹏宇

一种无掺杂电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法: 本发明公开了一种无掺杂电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法，包括：源电极，漏电极，隧穿栅电极，控制栅电极，栅介质层，铁电层，源区，漏区，阻挡介质层和沟道区。铁电层设置在沟道区的上下两侧，隧穿栅电极和控制栅电极分别设置在...; 刘虎周晓瑜李佩锋王鹏宇李余斌潘磊

一种无掺杂电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法: 本发明公开了一种无掺杂电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法，包括：源电极，漏电极，隧穿栅电极，控制栅电极，栅介质层，铁电层，源区，漏区，阻挡介质层和沟道区。铁电层设置在沟道区的上下两侧，隧穿栅电极和控制栅电极分别设置在...; 刘虎周晓瑜李佩锋王鹏宇李余斌潘磊

基于labVIEW的STM32调试平台的研究与实现被引量：5: 2012年; ARM处理器具有耗电少、功能强、16位/32位双指令集和合作伙伴众多等特点。本设计采用ARM 32位的CortexTM-M3 CPU作为内核的STM32F103ZET6芯片进行研究,基于labVIEW8.6软件对此芯片的调试平台进行了设计。本文主要对调试平台中的USB设备选择模块进行具体的探讨,基于labVIEW8.6设计出来的调试平台,其框图程序的可读性较强,界面友好,操作较方便。; 刘虎王紫婷张文婷; 关键词：LABVIEW

基于卓越班《电路分析实验》改革研究被引量：3: 2016年; 为满足"卓越工程师"的培养要求,针对本校当前电路分析实验课程存在的问题,从实验内容、考核体系、上课形式三方面进行了改革。采用"四性综合"实验体系,使得实验内容由易入难、由验证性逐步向设计创新性过渡,从而打破了传统实验体系以验证性实验为主导的弊端。建立"监控体系"和"评价体系",对学生综合能力作出合理、全面的评判,为选拔创新性实验人才做准备。实行灵活教学模式,因材施教,充分挖掘学生潜能。通过改革,激发了学生的实验、科研兴趣,提高了学生动手设计能力和实践创新能力,为后续实验教学的开展打下了坚实的基础。; 刘虎蒋占军宫玉芳张文婷

基于图论的MANET入侵检测方法被引量：8: 2018年; 移动Ad hoc网络(MANET)易遭受各种安全威胁,入侵检测是其安全运行的有效保障,已有方法主要关注特征选择以及特征权重,而忽略特征间潜在关联性,针对此问题该文提出基于图论的MANET入侵检测方法。首先通过对典型攻击行为分析,合理选择9种特征作为节点,依据欧式距离确定节点间的边以构建结构图。其次发掘节点(即特征)间关联性,综合考虑节点邻居规模属性和节点邻居之间的紧密程度属性,利用图论所对应的统计特性度分布和聚集系数具体实现两属性。最后对比实验结果证明此方法与传统方法相比平均检测率和误检率分别提高10.15%、降低1.8%。; 张冰涛王小鹏王小鹏王履程张忠林李延林; 关键词：入侵检测移动AD HOC网络图论

一种具有负电容效应的InGaAs/InAlAs无掺杂隧穿晶体管: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体提供一种具有负电容效应的InGaAs/InAlAs无掺杂隧穿晶体管，包括：源极、漏极、栅极、栅介质层、源区、漏区、源边沟道区、漏边沟道区和铁电层；采用双源漏电极结构，从而使得源区空穴分布...; 刘虎周晓瑜李佩锋

一种具有铁电薄膜和金属嵌入层的无掺杂隧穿晶体管: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体提供一种具有铁电薄膜和金属嵌入层的无掺杂隧穿晶体管，包括：源极、漏极、栅极、栅介质层、源区、漏区、沟道区、金属嵌入层和铁电薄膜层；在栅介质层中插入Pt金属嵌入层，使得在其下的体材料中形成...; 刘虎李佩锋周晓瑜

车站专用数字通信机系统软件研究: 该论文正是在研究铁路专用数字通信系统改造过程中完成的,在研究过程中主要对该系统的核心部分--《车站专用数字通信机》的主处理机进行了软件开发和硬件设计,同时进行了软、硬件冗余技术保护措施,并且对数字通信机中部分硬件电路进行...; 刘虎; 关键词：接入网技术

基于双给体三元体异质结的高性能倍增型有机光电探测器: 2024年; 为了拓展光谱响应范围至近红外,采用双给体单受体的三元体异质结策略,基于溶液法制备了以ITO/PEDOT∶PSS/活性层/Al为基本结构的倍增型有机光电探测器,活性层由P3HT∶PTB7-Th∶IEICO-4F(100-x∶x∶1,wt/wt/wt)组成,研究了不同质量比的PTB7-Th对器件光电特性的影响。优化后的三元倍增型有机光电探测器以P3HT∶PTB7-Th∶IEICO-4F(60∶40∶1,wt/wt/wt)为活性层,在-15 V偏压下,在450、520、655和850 nm处的外量子效率分别为2 666.40%、1 752.11%、1 894.26%和938.22%,响应度分别为965.80、733.35、998.68和641.91 A/W,比探测率均超过10^(13)Jones,在850 nm处的响应度与比探测率分别是相同条件下二元器件P3HT∶IEICO-4F(100∶1,wt/wt)的2.23倍和7.08倍。结果表明,在二元体系P3HT∶IEICO-4F中掺入适量的PTB7-Th,不仅能拓展光谱响应范围至近红外,还能改变活性层中激子解离界面、电子陷阱类型和空穴注入势垒高度,优化器件的电学性能。; 李尧王奋强王爱玲蓝俊刘虎刘良朋张鹏杰吴回州牛瑞霞张栩莹; 关键词：溶液法近红外

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刘虎