周萍
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：首都师范大学物理系更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响被引量：1
- 2004年
- 用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.XRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.
- 季红季勇周萍郑鹉王艾玲姜宏伟
- 关键词：织构晶粒尺寸
- 退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响
- 用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁...
- 季红季勇周萍郑鹉王艾玲姜宏伟
- 关键词：织构晶粒尺寸
- 文献传递
