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周萍
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
吴学海
中国科学院上海冶金研究所上海微...
吕章德
中国科学院上海冶金研究所上海微...
李允平
中国科学院上海冶金研究所上海微...
邬祥生
中国科学院上海冶金研究所上海微...
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1990
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InGaAsP相位调制器的研究
被引量:1
1990年
本文报道了InGaAsP/InP脊形相位调制器的初步研究结果。采用水平液相外延,常规器件工艺和湿法化学腐蚀方法,制得了波导宽度4—8μm,反向击穿电压3—5V的相位调制器。用Mach—Zehnder干涉光路,和1.52μum激光源对器件进行测量,得到迄今最高的相位移效率—TE和TM模分别为60°/V·mm和43°/V·mm。
邬祥生
李允平
吴学海
吕章德
龚连根
周萍
吴长川
关键词:
半导体材料
相位调制器
INGAASP
可集成的高效率InGaAsP相位调制器
1990年
GaAs-AlGaAs和InGaAsP-InP体系光电波导调制器已日益引起人们的兴趣。预计它们可以用于高速光通信,相干光通信和激光陀螺。 本文报道一种用耗尽边带传输加反向偏压p-n结结构的高效InGaAsP/InP相位调制器。该调制器用液相外延、湿法腐蚀和常规工艺制备。这种波导禁带波长1.3μm的调制器在1.52μm波长观察到很大的相位移效率,对TE模和TM模来说分别为60°/V·mm和43°/V·mm。
邬祥生
吴学海
李允平
吕章德
龚连根
周萍
吴长川
关键词:
INGAASP
相位调制器
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