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孔利平

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇ZNO
  • 2篇电极
  • 2篇电流扩展
  • 2篇多量子阱
  • 2篇结构层
  • 2篇金属有机物
  • 2篇金属有机物化...
  • 2篇缓冲层
  • 2篇共掺
  • 2篇共掺杂
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇负电极
  • 2篇掺杂
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇抽真空
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电子束蒸发

机构

  • 5篇华南师范大学

作者

  • 5篇孔利平
  • 4篇陈鹏
  • 4篇邓贝
  • 4篇郭志友
  • 4篇孙慧卿
  • 4篇王雨田

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
ZnO基发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种ZnO基发光二极管及其制备方法。一种ZnO基发光二极管，包括在衬底(1)上依次沉积的ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn<Sub>1-x</Sub>Cd<Sub>x</Sub>O层(4...
孙慧卿郭志友王雨田邓贝陈鹏孔利平
文献传递
透明导电薄膜ITO的制备与研究
透明导电的氧化铟锡(ITO)薄膜是p型GaN的极佳的欧姆接触材料,在作为GaN欧姆接触材料的应用上,我们希望得到具有高可见光透过率及高导电性的ITO薄膜。ITO薄膜是掺锡氧化物,是一种高度简并的n型半导体材料,电阻率大约...
孔利平
关键词：透明导电薄膜电子束蒸发磁控溅射氧化铟锡
ZnO基发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种ZnO基发光二极管及其制备方法。一种ZnO基发光二极管，包括在衬底(1)上依次沉积的ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn<Sub>1-x</Sub>Cd<Sub>x</Sub>O层(4...
孙慧卿郭志友王雨田邓贝陈鹏孔利平
一种B和N共掺杂ZnO薄膜的制备方法
本发明公开了一种B和N共掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)选用ZnO或Si或GaAs或蓝宝石衬底材料，将其表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积系统的反应室中，生长室抽真空到10<Sup>-4</S...
孙慧卿邓贝王雨田郭志友陈鹏孔利平
一种B和N共掺杂ZnO薄膜的制备方法
本发明公开了一种B和N共掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)选用ZnO或Si或GaAs或蓝宝石衬底材料，将其表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积系统的反应室中，生长室抽真空到10<Sup>-4</S...
孙慧卿邓贝王雨田郭志友陈鹏孔利平
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