孙红光
- 作品数：15 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信环境科学与工程理学更多>>
- PTFE膜在ISFET中的应用研究
- 本文介绍了在不同条件下,以磁控溅射法生长PTFE薄膜的工艺过程,并测试、分析了膜的结构成分及表面形貌.将PTFE用于REFET中,作为离子钝化膜,在标准pH液的测量中,获得了3.4mV/pH的低灵敏值.
- 汪祖民韩泾鸿孙红光杨海钢夏善红陈绍凤
- 关键词：聚四氟乙烯钝化膜离子敏场效应管传感器
- 文献传递
- 新型的ISFET微传感器读出电路单芯片集成研究被引量：3
- 2007年
- 生化微传感集成系统是目前的研究焦点,本文以在线性区和饱和区两种模式下工作的pH-ISFET作为研究对象,提出ISFET微传感器与其信号读出电路的单芯片集成,并深入研究传感机理以及与标准CMOS兼容的敏感材料制备技术.整个芯片包含ISFET/REFET微传感差分对、双模式ISFET/REFET放大器、次级差分放大、参比电极Pt、恒流源等,采用新加坡Chartered半导体集成电路公司3.3V标准CMOS工艺流片.同时进行传感器芯片的pH响应实验测试,获得53mV/pH灵敏度.
- 魏金宝杨海钢韩泾鸿孙红光夏善红
- 关键词：微传感器单芯片
- 采用电聚合方法固定抗体的IgG检测微传感器被引量：5
- 2006年
- 采用微电子机械系统MEMS工艺制备微电极芯片,并利用电化学聚合方法将抗体(羊抗人 IgG)与吡咯共同聚合在工作电极敏感表面,用于人免疫球蛋白IgG的安培酶免疫检测．该传感器以硅作为基底,铂作为电极,工作电极敏感面积2 mm2．SU-8胶形成的微反应池结构使该传感器试剂用量仅为μL量级．该传感器工作电压-0．3V,线性范围5-655ng/mL,响应时间3min,具有制备简便、响应快、试剂用量少、检测浓度低、微型化、便于集成等优点．
- 边超许媛媛孙红光陈绍凤夏善红
- 关键词：MEMS电聚合聚吡咯IGG
- 基于pH-ISFET片上系统的研究
- 本文采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,该芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路.芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准C...
- 孙红光韩泾鸿魏金宝夏善红
- 关键词：微传感器CMOSISFET
- 文献传递网络资源链接
- pH-ISFET生物微传感集成芯片的研究
- 本文以pH-ISFET为基础，研究了电位型生物传感集成芯片系统(SystemonChip，SOC)的相关理论及关键技术。
创新地引入了悬浮栅结构ISFET，利用Ta2O5的敏感性和聚四氟乙烯(PTFE)的钝化特...
- 孙红光
- 关键词：集成芯片PH-ISFET
- 文献传递
- 基于Ppy敏感膜的pH-ISFET研制
- 2006年
- 研制了一种采用0．35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET／REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC)。其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(Polypyrrole,聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终得到了pH响应为56mV／pH的高灵敏度。
- 汪祖民孙红光韩泾鸿边超陈绍凤夏善红
- 关键词：离子敏场效应管聚吡咯敏感膜
- 基于双层电化学结构的微型安培免疫传感器被引量：2
- 2006年
- 文中利用MEMS工艺在硅基底上制备铂微电极芯片,并采用双层电化学结构进行抗体的固定,用于人免疫球蛋白IgG的安培酶免疫检测.第一层为聚吡咯过渡层,第二层为抗体与聚邻苯二胺的共聚层.该传感器工作电压-0.3 V,检测下限5 ng/mL,线性范围5～355 ng/mL,响应时间3～5 min,具有制备简便、响应快、下限低、试剂用量少、微型化、便于集成等优点.
- 边超许媛媛孙红光陈绍凤夏善红
- 关键词：电化学聚合聚吡咯聚邻苯二胺IGG
- 基于Ppy敏感膜的pH-ISFET研制
- 研制了一种采用0.35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET/REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC).其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终...
- 汪祖民孙红光韩泾鸿边超陈绍凤夏善红
- 关键词：离子敏场效应管聚吡咯敏感膜电化学
- 文献传递
- 一种生化微传感集成芯片、制作及模具制备方法
- 本发明公开一种生化微传感集成芯片的结构、制作及模具制备方法。集成芯片包括差分延长栅和读出电路。差分延长栅由Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>敏感薄膜、PTFE钝化薄膜和Pt准参比电极组成；ISEGFE...
- 夏善红杨海钢韩泾鸿孙红光汪祖民魏金宝蔺增金
- 文献传递
- 基于pH-ISFET片上系统的研究
- 采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,谊芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路。芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准CMO...
- 孙红光韩泾鸿魏金宝夏善红
- 关键词：ISFETSOCCMOS
- 文献传递
