孟祥建
- 作品数：151 被引量：123H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法
- 本发明公开一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法。器件结构为：导电衬底上依次有二维半导体和铁电薄膜层。器件制备步骤是在导电衬底上制备二维半导体，然后制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对二维半导体上的铁电薄膜写入周期...
- 王建禄吴广健王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
- 一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法
- 本发明公开了一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法。该探测器首先通过磁控溅射在氧化铝衬底上生长了一层均匀的二氧化钒薄膜，然后利用光刻掩膜和氩等离子体刻蚀技术将二氧化钒薄膜刻蚀成阵列，随后通过干法转移将二维半导体...
- 王建禄蒋伟孟祥建沈宏林铁褚君浩
- 文献传递
- 一种铁电隧道结室温红外探测器
- 本实用新型公开一种铁电隧道结室温红外探测器。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、金属底电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在柔性薄膜衬底表面蒸发或溅射金属作为底电极，然后在底电极表面运用LB法生长厚度1...
- 孟祥建王建禄孙璟兰林铁沈宏韩莉褚君浩
- 文献传递
- 用改进的MOD法在硅衬底上直接制备高度(100)择优取向的金属性LaNiO_3薄膜的研究被引量：2
- 2000年
- 本文报道了用改进的MOD法直接在Si衬底上制备高度择优取向的金属性LaNiO3 (LNO)薄膜的过程及其表征。采用硝酸镧 [La(NO3 ) 3 ]和醋酸镍 [Ni(CH3 COO) 2 ]为原料代替传统的长链羧酸盐 ;以醋酸和水为溶剂来代替常用的甲苯。为了增强薄膜与衬底之间的附着力 ,需要在得到的前驱体溶液中加入适量的甲酰胺 [HCONH2 ]。通过快速热退火 (RTA)方式 ,在 45 0℃到 6 5 0℃之间退火得到了LNO的系列薄膜。XRD结果表明LNO薄膜在 5 0 0℃开始晶化 ,5 5 0℃已晶化完全。晶化的LNO薄膜同时表现出高度的 ( 1 0 0 )择优取向性 ,该结果尚未见有报道。扫描电镜 (SEM)表面形貌分析展示LNO薄膜表面晶粒均匀 ,没有明显的龟裂 ;晶粒尺寸大约在 30～ 5 0nm之间。采用标准的四探针法测量了不同温度下在 6 0 0℃退火得到的LNO薄膜的电阻率 ,结果显示LNO薄膜室温电阻率为 7.6 0× 1 0 -4 Ω·cm ,可作为铁电薄膜的底电极使用。
- 孟祥建程建功孙景兰唐军叶红娟郭少令褚君浩
- 关键词：衬底
- PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜红外椭圆偏振光谱研究被引量：2
- 2003年
- 用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5～ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 .
- 胡志高赵强黄志明王根水孟祥建林铁褚君浩
- 关键词：光学常数铁电薄膜锆钛酸铅
- 一种高灵敏非制冷红外探测器
- 本发明公开一种高灵敏非制冷红外探测器。本发明用聚偏二氟乙烯和三氟乙烯的共聚物作为热释电材料，并将其运用郎缪尔-布拉吉特方法生长在制备好金属底电极的聚酯材料衬底上，然后在材料上表面生长金属上电极，形成电容器结构，并在上电极...
- 王建禄孟祥建孙璟兰褚君浩韩莉
- 一种高灵敏的负电容场效应管光电探测器及制备方法
- 本发明公开了一种高灵敏的负电容场效应管光电探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、氧化物、栅电极、具有负电容效应的氧化铪基铁电栅电介质、氧化物栅电介质、低维半导体沟道、金属源漏电极。首先在衬底上通过离子...
- 王建禄涂路奇刘琦沈宏林铁孟祥建褚君浩
- La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响被引量：8
- 2003年
- 采用溶胶 凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为 2 5— 12 6 μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数 ,同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度 .随着La掺杂浓度的增大 ,折射率逐渐减小 .而消光系数除PLZT(4 4 0 6 0 )薄膜外 ,呈现逐渐增大的趋势 .分析表明这些差异主要与PLZT薄膜的结晶性 ,如晶粒尺寸 ,以及颗粒边界、形貌、电子能带结构有关 .通过计算得到PLZT薄膜的吸收系数大于PZT薄膜的吸收系数 .随着La掺杂浓度的增大 ,静态电荷值逐渐减小 .这说明在PLZT中 ,电荷的转移是不完全的 ,它属于离子 共价混合的化合物 .
- 胡志高石富文黄志明王根水孟祥建林铁褚君浩
- 关键词：LA掺杂镧掺杂铁电薄膜
- 硒化镉量子点的制备方法
- 本发明公开了一种硒化镉(CdSe)量子点的制备方法，该方法采用CdO或Cd(COO)<Sub>2</Sub>为Cd离子来源，Se粉溶于三辛基磷(TOP)生成的SeTOP为Se离子来源，在三辛基氧化磷(TOPO)中，高温下...
- 孙艳陈静孟祥建戴宁
- 文献传递
- 一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法
- 本发明公开了一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法。该方法将极化材料与二维半导体直接接触，极化材料极化后所产生的极化电场可有效调控二维半导体的能带结构。所采用的器件结构自下而上依次为绝缘衬底、二维半导体、金属引出复...
- 王建禄王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
- 文献传递
