张东平 作品数:121 被引量:191 H指数:8 供职机构: 深圳大学 更多>> 发文基金: 深圳市科技计划项目 广东省自然科学基金 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 理学 一般工业技术 电子电信 电气工程 更多>>
直流磁控共溅射制备Zn-Sb热电薄膜的研究 <正>热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现,热电材料薄膜化有助于热电材料减低热导率,从而能够有效的提高材料的热电转换效率,因此具有十分重要的科学研究价值。Zn-Sb合金是最早采... 范平 刘朋娟 郑壮豪 张东平 梁广兴 罗景庭文献传递 HC(NH2)2PbI3钙钛矿薄膜单源真空热蒸发制备及性能表征 2016年 采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能量色散谱仪、分光光度计、荧光光谱仪和霍尔系数测试仪等,对单源真空热蒸发法直接制备的钙钛矿太阳电池吸收层HC(NH_2)_2PbI_3薄膜的晶化和微观结构以及表面形貌、化学元素计量比、光学和电学性能进行表征分析.结果表明,单源真空热蒸发法制备的HC(NH_2)_2PbI_3薄膜表面均匀、致密且平整,薄膜结晶度高,具有典型的钙钛矿晶体结构,薄膜的化学成分符合HC(NH_2)_2PbI_3薄膜的理想化学计量比,其禁带宽度为1.5 e V,满足钙钛矿太阳电池用薄膜的光学性能,将直接有利于钙钛矿太阳电池效率的提高. 陈聚龙 梁广兴 范平 古迪 曾旸 罗景庭 郑壮豪 张东平关键词:凝聚态物理学 光电效应 单源热蒸发制备有机无机杂化CH3NH3PbI3薄膜及其性能表征 被引量:1 2015年 采用全真空单源热蒸发沉积技术直接制备钙钛矿太阳电池用有机无机杂化CH3NH3Pb I3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和分光光度计对制备的CH3NH3Pb I3薄膜微结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征分析,并与非真空旋涂法制备的CH3NH3Pb I3薄膜性能进行比较。结果表明:单源热蒸发法制备的CH3NH3Pb I3薄膜呈现单一的钙钛矿四方晶体结构,且与蒸发源材料的晶体结构同源性高,没有出现杂质相偏析;对比旋涂法制备的CH3NH3Pb I3薄膜表面均匀致密平整,且薄膜结晶度更高;单源热蒸发法制备的CH3NH3Pb I3薄膜禁带宽度为1.57 e V,符合钙钛矿太阳电池吸收层光学性能要求。 范平 古迪 梁广兴 罗景庭 张东平 陈聚龙关键词:微结构 应用Ti掺杂提高VO_(2)薄膜太阳光红外能量调制能力 2022年 二氧化钒薄膜独特的半导体-金属相变特性使其在智能窗等领域有着广阔的应用前景。该研究采用直流反应共溅射技术沉积二氧化钒薄膜,通过调节Ti靶的放电电流,实现了VO_(2)薄膜不同量的Ti掺杂。并用X射线衍射仪、微区拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、分光光度计与四探针测量系统对样品微结构及相变特性进行表征,分析不同Ti掺杂量对VO_(2)薄膜微结构、表面形貌、相变温度、红外调制率的影响。研究结果表明,在Ti靶15 mA放电电流下掺杂的样品,太阳能调制能力有明显提高,达13.8%,但是过高的Ti掺杂则会使VO_(2)薄膜相变性能弱化甚至消失。 曾蓝萱 李慧 戚家华 刘毅 叶凡 蔡兴民 范平 张东平关键词:二氧化钒 相变 一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法 本发明公开了一种n型氧化亚铜及其制备方法,其中,所述制备方法采用反应性双靶共溅射的方法,以铜靶材和铟靶材作为溅射靶材,以硅片或K9玻璃作为衬底,以高纯氧气和氩气作为溅射气体;所述溅射铜靶材的纯度为99.99%,铟靶材的纯... 叶凡 蔡兴民 王欢 苏小强 范平 张东平 罗景庭 郑壮豪 梁广兴基底温度对离子束溅射法制备AZO透明导电薄膜的影响 以ZnO(掺杂2%AlO)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在玻璃基底上成功制备了AZO薄膜透明导电薄膜。研究不同基底温度对AZO薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,沉积过程中基底温度对AZO薄膜的结构和光电性能有显著影... 梁广兴 范平 郑壮豪 张东平 蔡兴民文献传递 一种二氧化钒薄膜低温沉积方法 本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法,采用磁控溅射技术,以金属钒或钒合金为靶材,以氧气为反应气体,氩气为溅射气体;制备薄膜前,先将真空室抽至低于1×10<Sup>-3</Sup>Pa本底真空,然后通入氧气和氩气混合... 张东平 朱茂东 杨凯 范平 蔡兴民 罗景庭 钟爱华 林思敏文献传递 癌胚抗原传感器及其制作方法、癌胚抗原浓度检测方法 本发明公开了一种癌胚抗原传感器,在压电材料上制作输入换能器和输出换能器构建声表面波传感器,并利用沉积在输入换能器和输出换能器之间的金膜来固定癌胚抗体,通过癌胚抗体实现癌胚抗原浓度检测。声表面波传感器的制作成本低廉,并结合... 罗景庭 全傲杰 范平 付琛 梁广兴 郑壮豪 张东平 叶凡文献传递 离子束溅射制备Bi2Te3热电薄膜 被引量:6 2011年 采用离子束溅射技术,溅射不同面积比例的Bi/Te二元复合靶,制备Bi2Te3热电薄膜,所制备的薄膜Bi∶Te原子比接近2∶3.X射线衍射测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3标准衍射峰相同,在(015)晶面上择优选向明显,存在少量的Bi和[Bi,Te]杂质峰.霍尔系数测试及Seebeck系数测量结果表明,薄膜都为n型半导体薄膜,电导率量级为105Sm-1,电学性能良好.在不同条件下制备的薄膜Seebeck系数最大值为-168μVK-1,最小值为-32μVK-1.其中,Bi∶Te原子比为0.69,退火温度为300℃的薄膜功率因子最大,达1.1×10-3Wm-1K-2. 范平 郑壮豪 梁广兴 张东平 蔡兴民关键词:凝聚态物理 离子束溅射 热电材料 电学性能 缓冲层对VO_2薄膜光电特性的影响 采用直流反应磁控溅射工艺制备了VO_2薄膜。对比了在K9玻璃基底上,TiO_2及V缓冲层对氧化钒薄膜的影响。XRD及光电特性测量结果都表明,添加TiO_2缓冲层后需要薄膜沉积温度条件更加苛刻,但可以有效得减小VO_2薄膜... 李岩 张东平 张云姗 李慧 杨含或 何晓欣 朱茂东 范平关键词:磁控溅射 文献传递