张国强
- 作品数：77 被引量：121H指数：7
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院院长基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术航空宇航科学技术医药卫生更多>>
- 注F CC4007电路的电子和X射线辐照效应
- 分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明,把适量的F注引入栅介质,能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈电压负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。Ⅰ—Ⅴ特性表明,...
- 张国强郭旗艾尔肯余学锋陆妩范隆任迪远严荣良
- 关键词：X射线辐照
- 文献传递
- 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性被引量：2
- 2003年
- 在不同注 F剂量条件下 ,对 P沟和 N沟两种不同差分对输入 CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究 .分析比较了注 F和未注 F运放电路电离辐照响应之间的差异 .结果表明 ,在栅场介质注入适量的 F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长 ,从而提高 CMOS运放电路的抗辐照特性 .
- 任迪远陆妩余学锋郭旗张国强胡浴红王明刚赵文魁
- 关键词：CMOS运算放大器电离辐照跨导
- 掺HCl MOSFET辐照后退火特性的研究
- 本文对60Coγ辐照后的掺HCl PMOSFET,进行了各种温度和偏置条件的退火试验．通过分析阈电压, 中带电压和界面态密度随退火时间的变化关系．发现辐照100～200℃偏压(辐照和退火同为V(?)=0V)退火方式是促使...
- 张国强严荣良余学锋高剑侠任迪远范隆赵元富胡浴红
- 关键词：MOSFET电离辐射退火
- 文献传递
- 注F MOSFET漏电流的辐照和退火行为
- 1996年
- 分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系；注ＦＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流增长小于未注Ｆ样品；ＮＭＯＳＦＥＴ辐照后漏电流随时间的退火呈现下降、重新增长和趋于饱和的特征，注Ｆ对退人过程中漏电流的重新增长有一定的抑制作用。
- 张国强余学锋任迪远陆妩严荣良
- 关键词：退火MOSFET漏电流CMOS器件
- PMOS剂量计的剂量率效应
- 在不同剂量率的60Coγ辐照下,研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速Ⅰ—Ⅴ亚阈分析技术,获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献,结果表明:辐照响应有较明显的剂量率效应,主要表现为响应的拟合关系式△VT=KD(...
- 范隆任迪远郭旗张国强严荣良陆妩
- 关键词：PMOS剂量率
- 文献传递
- 含F栅介质的击穿特性研究被引量：2
- 1998年
- 本文研究了ＭＯＳ结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中Ｆ离子的引入对击穿电压的影响．结果表明，击穿电压受热电子贯穿方向制约；栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系；一定量的Ｆ离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响．
- 张国强郭旗余学锋任迪远严荣良
- 关键词：MOS击穿可靠性
- 高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究
- 1994年
- 详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制．对实验现象给出了比较圆满的解释．结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用．
- 严荣良高文钰张国强余学锋罗来会任迪远赵元富李荫波
- 关键词：MOSFET电离辐射
- CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应被引量：6
- 1999年
- 介绍了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器在６０Ｃｏγ射线、１ＭｅＶ电子和４、７、３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性，探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理，并对ＣＭＯＳ运放电路在不同辐射环境中表现出的与ＣＭＯＳ数字电路不同的响应特征给予了解释。
- 陆妩任迪远郭旗余学锋范隆张国强严荣良
- 关键词：CMOS运算放大器电离辐射
- 注氟MOSFET的质子辐照效应被引量：4
- 1995年
- 对干Ｏ２和Ｈ２＋Ｏ２栅氧化注Ｆ的Ｓｉ栅Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了８ＭｅＶ和１２ＭｅＶ质子辐照试验，通过分析阈电压和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射响应，发现ＭＯＳ结构栅介质中Ｆ的引入能明显抑制辐射感生氧化物电荷的积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，导致ＰＭＯＳＦＥＴ较小的阈电压负向漂移和ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压正向回漂，且不受质子辐照能量的影响．栅介质中Ｆ释放Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力，替换部分在辐照场中易成为电荷陷阱的Ｓｉ－Ｈ、Ｓｉ－ＯＨ弱键和Ｓｉ－Ｏ应力键与Ｓｉ结键的正效应是导致实验结果的主要原因．
- 严荣良张国强余学峰任迪远
- 关键词：质子辐照界面态MOSMOS器件
- 注氟加固PMOSFET的电离辐射响应与时间退火效应
- 1997年
- 研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注F加固PMOSFET由于界面态密度、特别是氧化物电荷密度继续增加，使得电路在电高辐照后继续损伤，探讨了加速MOS器件电离辐照感生界面态生长的方法。
- 余学峰严荣良张国强郭旗陆妩任迪远宋钦歧赵元富
- 关键词：PMOSFET电离辐射退火MOS器件
