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主题

  • 6篇硅化物
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机构

  • 14篇北京大学
  • 2篇清华大学

作者

  • 14篇徐立
  • 7篇王阳元
  • 6篇武国英
  • 5篇张国炳
  • 3篇奚雪梅
  • 3篇李映雪
  • 2篇李志坚
  • 2篇郝一龙
  • 2篇钱佩信
  • 2篇隋小平
  • 1篇王瑞和
  • 1篇闫桂珍

传媒

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年份

  • 1篇2006
  • 1篇1997
  • 4篇1995
  • 1篇1994
  • 4篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究被引量:3
1991年
针对微米与亚微米器件对自对准硅化物技术的要求,本文报道了沟道长度为1微米的自对准CoSi_2硅化物化MOSFET(SALICIDE)技术的实验结果.首先研究了CoSi_2薄膜形成动力学和膜性质,随后着重研究并讨论了与自对准CoSi_2技术有关的一些重要问题,包括各向异性刻蚀、选择腐蚀和栅侧壁氧化物上的桥接试验等,最后给出了 1μm沟道长度的自对准 CoSi_2 SALICIDE MOS晶体管的电学性能实验结果.
徐立武国英张国炳王阳元
关键词:场效应晶体管自对准硅化物
硅化物/硅欧姆接触特性研究
1993年
本文报道了利用XRD、RBS、SPR、AES、SEM、TEM和Kelvin电阻桥法(CBKR)等测量技术系统地研究了硅化钛/硅,硅化钴/硅欧姆接触特性。实验结果表明,硅化钛(硅化钴)/硅欧姆接触电阻率(ρ_c)不仅受硅表面层掺杂浓度而且也受退火温度,杂质再分布及硅化物/硅介面形貌等因素影响。
张国炳武国英陈文茹徐立郝一龙隋小平王阳元
关键词:欧姆接触硅化物介面
Oregan浏览器抽象层在机顶盒上的实现
本文对Oregan浏览器抽象层在机顶盒上的实现进行了探讨。本研究从项目需要和嵌入式平台特点出发,分析了嵌入式浏览器的特点,选择了嵌入式浏览器Oregan,介绍了Oregan移植环境和抽象层函数。Oregan 浏览器移植关...
徐立
关键词:电视接收机顶盒设计网络浏览器
超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究
1995年
在SOI材料上采用钴(Co)自对准硅化物技术,研究了减薄后的SOI上钻溅射厚度的优化问题,着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明,采用TCo:TSi≈1:3.6的近似方法优化粘膜厚度,会得到薄层电阻最低的硅化接触,改善其接触特性。
奚雪梅徐立闫桂珍孟宪馨李映雪王阳元
关键词:SOI自对准硅化物厚度最佳化
自对准硅化物SOI/CMOS技术研究
1995年
在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实.验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间.提高SOI/CMOS电路的速度特性。
徐立奚雪梅武国英李映雪王阳元
关键词:自对准硅化物SOICMOS集成电路
用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理
1993年
用快速热退火技术可以获得很高的、超过杂质在硅中固溶度的亚稳态载流子浓度。但是,超固溶度杂质的失活会引起亚稳态载流子浓度的弛豫。本文应用RBS沟道产额角分布技术分析了失活杂质原子在硅晶格中的定位情况,进而从这些晶格定位的实验结果出发,讨论了硅中超固溶度激活杂质的失活机理。
徐立钱佩信李志坚
关键词:固溶度失活机理
快速热退火形成硅化钛薄膜及TISI2/SI欧姆接触特性研究
张国炳陈立茹徐立
关键词:超大规模集成电路退火欧姆接触硅膜
自对准硅化物CMOS/SOI技术研究被引量:2
1995年
在CMOS/SIMOXSOI电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOIMOSFET单管特性和CMOS/SOI电路速度性能的影响.实验表明,采用SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻,改善单管的输出特性,降低CMOS/SOI环振电路门延迟时间,提高CMOS/SOI电路的速度特性.
奚雪梅徐立武国英李映雪王阳元
关键词:CMOSSOI硅化物MOSFET
CoSi_2中As^+和BF_2^+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究被引量:1
1992年
向CoSi_2膜中分别注入As^+和BF_2^+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N^+-P和 P^+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi_3/Si系统中的再分布行为,讨论了浅结形成机理.
徐立张国炳陈文茹武国英王阳元龚里
关键词:硅化物浅结
超高压水射流辅助钻井钻头井底湍流流场的数值模拟
压水射流辅助钻井钻头井底湍流流场的数值模拟是石油天然气总公司九·五攻关项目“井下增压器”的配套项目“超高压射流辅助钻井钻头的研制”的关键。该文采用RANS方程和高雷诺数下标准κ-ε双方程湍流模型建立封闭的控制方...
徐立王瑞和
关键词:水射流数值模拟流动特性
共2页<12>
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