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李国兴

作品数:36 被引量:9H指数:1
供职机构:吉林大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省博士科研启动基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 16篇会议论文
  • 11篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 4篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 8篇GASB
  • 7篇超导
  • 6篇MOCVD
  • 5篇外延膜
  • 5篇YBCO
  • 5篇衬底
  • 4篇临界电流
  • 4篇发光
  • 4篇高温超导
  • 4篇半导体
  • 4篇超导薄膜
  • 3篇电池
  • 3篇热光伏电池
  • 3篇临界电流密度
  • 3篇金属有机物
  • 3篇光伏电池
  • 3篇SUB
  • 3篇MOCVD法
  • 3篇MOCVD反...
  • 3篇MOCVD生...

机构

  • 36篇吉林大学
  • 2篇大连理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇集美大学
  • 1篇江苏大学

作者

  • 36篇李国兴
  • 25篇张宝林
  • 11篇李万程
  • 11篇杜国同
  • 10篇周本初
  • 8篇李善文
  • 7篇杨皓宇
  • 5篇李伟
  • 4篇郭峰
  • 4篇张源涛
  • 4篇梁红伟
  • 4篇董鑫
  • 3篇任泽龙
  • 2篇李春野
  • 2篇刘远达
  • 2篇柳阳
  • 2篇吕游
  • 2篇杨小天
  • 2篇吴国光
  • 2篇徐德前

传媒

  • 7篇第十二届全国...
  • 3篇发光学报
  • 3篇第13届全国...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇工程力学
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十届全国超...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2008
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MOCVD生长GaSb/GaAs异质结表面形貌研究
GaSb是一种重要的窄禁带、直接带隙化合物半导体材料,可以用来制备红外光电器件。异质结的晶体质量对所制备器件的性能有重要影响。本文以低压MOCVD法在GaAs(100)衬底上制备了GaSb/GaAs异质结,并分析了不同生...
王连锴李天天杨皓宇吕游李国兴张宝林
一种基于GaSb的Ga<Sub>x</Sub>In<Sub>1‑x</Sub>Sb/GaSb串联结构热光伏电池及其制备方法
一种基于GaSb的Ga<Sub>x</Sub>In<Sub>1‑x</Sub>Sb/GaSb串联结构的热光伏电池及其制备方法,属于热光伏电池技术领域。结构从上到下依次为:上电极、重掺杂的p+型ZnS窗口层、p型GaSb有...
张宝林吕游李国兴徐佳新徐德前
文献传递
叠层结构GaInAsSb热光伏电池的设计和优化
本工作设计并优化了一种两结叠层结构GaInAsSb热光伏电池,应用于低温热辐射体(T=1200℃)热光伏系统,这种结构的热光伏电池具有较高的能量转换效率,采用MOCVD技术容易制备。
彭新村李国兴张宝林赵晓薇董鑫郑伟杜国同
关键词:叠层结构热光伏电池
文献传递
以光辅助MOCVD法制备大面积YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7-x</sub>高质量高温超导外延膜的初步研究
针对微波滤波器等微波无源器件对高温超导薄膜的需求,本论文使用光辅助MOCVD法,围绕大面积YBCO外延膜的制备进行了一系列的初步研究工作。本论文设计了不锈钢反应室的光辅助MOCVD系统,解决了系统中影响薄膜制备重复性的多...
李国兴
关键词:外延膜卤钨灯博士学位论文高温超导体
MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜被引量:5
2011年
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2O3衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet发射峰,BV发射峰),范围在2.8~3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能。
许露梁红伟刘远达李春野柳阳边继明李国兴李万程吴国光杜国同
关键词:MOCVD光致发光
一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法
本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域,特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InGaN盖层5、上电...
杜国同梁红伟李国兴
基座旋转速度以及衬底托盘高度对MOCVD反应室流场影响的模拟分析
在利用MOCVD技术生长薄膜材料的过程中,气流的稳定性一直是影响薄膜质量的重要因素.因此,本文对于基座旋转速度以及衬底托盘高度在多大程度上影响反应室内气流稳定这一问题,进行了模拟分析.本文中的反应室结构如图1.对于基座旋...
郭峰任泽龙汪薪生李国兴张宝林
压强对GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响被引量:1
2019年
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在Ga As(001)衬底上制备Ga Sb量子点,研究了反应室压强对改善Ga Sb/Ga As量子点形貌各向异性的影响。通过Sb表面处理方法,在Ga As衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层,实现以界面失配(IMF)生长模式对Ga Sb量子点诱导生长。用原子力显微镜(AFM)对各样品的量子点形貌进行了表征,结果表明Ga Sb量子点形貌各向异性明显且沿[110]方向拉长。在压强条件为10 k Pa时,IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3,由于低能量(111)侧面的存在,Ga Sb量子点优先沿[110]方向生长而不是与之垂直的[110]方向。压强降低至4 k Pa时量子点密度增大为8. 3×109cm-2,量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1。低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度,可以有效改善Ga Sb量子点的各向异性。
徐德前徐佳新庄仕伟李国兴张宝林
关键词:量子点各向异性MOCVD
高温超导薄膜材料临界电流密度测试系统及测试方法
本发明属于高温超导材料性能测试领域,具体涉及检测高温超导薄膜材料临界电流密度的测试系统及测试方法。该系统由计算机、纳伏表、可编程直流电源以及探针台四部分组成,将样品固定于探针台上,置于液氮中,由计算机控制可编程直流电源提...
李国兴张宝林郭峰汪薪生
文献传递
光辅助MOCVD技术制备YBCO和GdBCO外延膜中厚度与临界电流特性
提高ReBaCuO7-x超导临界电流的一个简单方法就增加外延膜厚度.然而许多报道中提到多种方法的实验中获得了随着厚度的增加其超导临界电流密度(Jc)却出现显著下降的现象.本文采用光辅助金属有机化学气相沉积(Photo-a...
李国兴李伟李善文汪薪生郭峰何英迪周本初张宝林
共4页<1234>
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