李洪婧
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
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- N掺杂Cu_2O薄膜的光学性质及第一性原理分析被引量：8
- 2012年
- 采用射频磁控溅射技术,在不同温度下制备了N掺杂Cu_2O薄膜.透射光谱分析发现,N掺杂导致Cu_2O成为允许的带隙直接跃迁半导体,并使Cu_2O的光学禁带宽度增加.不同温度下沉积的薄膜光学禁带宽度E_g=2.52±0.03 eV.第一性原理计算表明,N掺杂导致Cu_2O的禁带宽度增加了约25%,主要与价带顶下移和导带底上移有关,与实验报道基本符合.N的2p电子态分布不同于O原子,在价带顶附近具有较大的态密度是N掺杂Cu_2O变成允许的带隙直接跃迁半导体的根本原因.
- 濮春英李洪婧唐鑫张庆瑜
- 关键词：禁带宽度电子态密度
- 沉积温度对N掺杂Cu_2O薄膜生长及光学特性的影响被引量：5
- 2011年
- 利用反应射频磁控溅射技术,首次利用氧化铜作为溅射靶,在氮气和氩气的混合气氛下,制备出N掺杂的Cu2O薄膜。通过改变沉积温度,研究了氮掺杂Cu2O薄膜的结构特征和生长模式以及光学特性。研究结果表明低温沉积时,薄膜表现为比较强的(100)织构;随着沉积温度增加到500℃,薄膜逐渐转变为(111)织构,沉积温度增加导致的临界成核自由能的增加是决定薄膜织构特征的重要因素;原子力显微镜分析发现不同沉积温度的薄膜表面形貌的空间标度指数α>1,属于表面扩散支配的薄膜生长机制;薄膜表面形貌的空间标度指数和关联长度随沉积温度的变化与薄膜织构度之间存在明显的关联;不同温度沉积的氮掺杂Cu2O薄膜的禁带宽度为(2.52±0.03)eV。
- 李洪婧马春雨李帅董武军张庆瑜
- 关键词：CU2O氮掺杂光学特性
- N掺杂Cu2O薄膜的制备及光学性质研究
- Cu2O是直接带隙p型半导体,其禁带宽度约为2.1eV,具有赤铜矿结构,其空间群为Pn3m,晶格常数为0.4296nm。Cu2O的高吸收系数,无毒,制备成本低廉使得其在太阳能电池方面具有潜在的应用价值。近年来,对其进行掺...
- 李洪婧
- 关键词：磁控溅射光学特性
- 文献传递
- N掺杂Cu<sub>2</sub>O薄膜的制备及光学性质研究
- Cu2O是直接带隙p型半导体,其禁带宽度约为2.1eV,具有赤铜矿结构,其空间群为Pn3m,晶格常数为0.4296nm。Cu2O的高吸收系数,无毒,制备成本低廉使得其在太阳能电池方面具有潜在的应用价值。近年来,对其进行掺...
- 李洪婧
- 关键词：磁控溅射光学特性
