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杨仕钟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇性能指标
  • 1篇漏电流
  • 1篇快恢复二极管
  • 1篇兼容性
  • 1篇二极管
  • 1篇反向漏电
  • 1篇反向漏电流
  • 1篇硅
  • 1篇钯

机构

  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇游志朴
  • 1篇廖勇明
  • 1篇陈振
  • 1篇杨仕钟

传媒

  • 1篇四川大学学报...

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
掺钯硅快恢复二极管V_F～T_(RR)兼容性研究
2003年
作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF～TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF～TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合,作者对此进行了分析与讨论.根据实验结果,作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管.
廖勇明杨仕钟陈振游志朴
关键词：反向漏电流性能指标
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共1页<1>
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