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文献类型

  • 10篇期刊文章
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领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 5篇电路
  • 5篇集成电路
  • 3篇晶体管
  • 2篇离子注入
  • 2篇放大器
  • 2篇CMOS
  • 2篇掺杂
  • 1篇低通
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  • 1篇电容滤波器
  • 1篇运算放大器
  • 1篇直接键合
  • 1篇直流
  • 1篇直流模型
  • 1篇直流偏置
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇欧姆接触

机构

  • 11篇西安交通大学
  • 1篇航空航天部

作者

  • 11篇林长贵
  • 4篇罗晋生
  • 2篇王则如
  • 1篇向凌顶
  • 1篇汪玲
  • 1篇崔吾元
  • 1篇朱秉升
  • 1篇邵志标
  • 1篇李同合
  • 1篇孙正地
  • 1篇黄宗林

传媒

  • 3篇微电子学与计...
  • 3篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇工业仪表与自...
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 4篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1986
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Bi-CMOS双极型晶体管的研制
1990年
本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了工作机理,阐明了采用标准CMOS工艺制作高性能Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法.然后,建立了分析计算晶体管直流特性的数学模型,并分析计算了工艺参数、器件结构对器件性能的影响,给出了CMOS工艺全兼容的Bi-CMOS双极型npn晶体管的最佳设计方案.采用常规p阱CMOS工艺进行了投片试制.测试结果表明,器件性能达到了设计指标;器件的电流增益在200以上,与理论计算完全一致.
林长贵黄宗林孙正地
关键词:双极型晶体管晶体管
离子注入掺杂热再分布的分析计算
1991年
本文对离子注入杂质的热再分布过程提出了两种分析手段:其一是已知热再分布的工艺条件,求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果;其二是已知再分布后杂质分布的边界条件,采用牛顿—拉夫逊,蒙特卡罗计算方法,求得最终杂质浓度分布;并给出了CMOS 集成电路中离子注入p 阱的计算结果.
林长贵王则如黄宗林
关键词:CMOS集成电路离子注入掺杂
全文增补中
低通CMOS开关电容滤波器的计算机辅助设计与研制
林长贵
高线性光耦合型隔离放大器的研制被引量:1
1993年
本文提出一种提高光耦合型隔离放大器线性度的新方法,它采用直流偏置、电流反馈及差分技术有效地补偿了光耦合器件的非线性误差。文中详细介绍了电路的基本原理,并给出了实验结果,它表明:在不需任何特殊元件和制作工艺条件下,放大器的非线性误差小于0.1%FS,最高工作频率大于300kHz。
林长贵
关键词:直流偏置电流反馈缓冲放大器
离子注入掺杂热再分布的理论分析
1991年
本文对离子注入搀杂杂质分布的热再分布过程提出了两种分析手段。其一是已知热再分布的具体过程,通过求解扩散方程得到了杂质最终分布的解析解;其二是已知热再分布最终杂质分布的某个边界条件,本文提出了有效杂质总量守恒模型,并采用牛顿-拉夫逊,或蒙特卡罗计算机数值方法,可求得最终的杂质分布。文中最后给出了CMOS工艺中离子注入P阱的计算结果。
林长贵王则如黄宗林
关键词:离子注入掺杂热分布集成电路
共源共栅CMOS运算放大器的分析与设计
1990年
本文描述了一个共源共栅差分输入级、电流镜偏置输出级结构的两级CMOS运放,它对常规运放的电源电压抑制比、增益、输出驱动能力、噪声、失调等有显著的改善。文中对运放的工作原理及设计技术等进行了详细的叙述,并采用标准CMOS工艺进行了投片试制和采用SPICE进行了电路模拟。结果令人满意,达到了设计指标,证明了设计理论的正确性。该运放已成功地应用于开关电容滤波器芯片的制造。
林长贵罗晋生
关键词:CMOS运算放大器
硅/硅直接键合制备p^+/n^-和n^-/n^-结构被引量:1
1992年
本文采用Si/Si直接键合制备p^+/n^-、n^-/n^-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p^+/n^-、n^-/n^-样片;对键合的微观结构、键合强度、杂质分布及电接触特性进行了检测。
林长贵崔吾元罗晋生
关键词:键合硅膜欧姆接触
CMOS四象限乘法器的精确设计
1991年
本文提出了一种新型CMOS四象限乘法器,它基于MOSFET的电流-电压平方律模型,采用电压比例电路及四管单元乘法电路使乘法器能精确完成乘法运算。该乘法器的电路结构简单、精确度高及实现四象限相乘的特点,使之在CMOS通信集成电路,信号处理及运算电子系统中有广阔的应用前景。文中对电路的结构进行了详细分析和设计,并给出了HSPICE-Ⅱ模拟结果。
林长贵郭砺志罗晋生
关键词:CMOS乘法器HSPICE模拟集成电路
半导体参数自动测量和提取中GPIB与IBMPC接口技术被引量:1
1994年
本文介绍的HP测试仪与IBMPC微机构成的系统集测量与数据处理于一体,成功地实现了半导体参数的快速测量和提取,为集成电路的设计和开发提供了有效的手段.着重介绍GPIB测控总线与IBMPC系统总线的接口原理及软/硬件实现方法.
林长贵李同合
关键词:自动测量接口设备
IC设计中晶体管直流模型参数的提取被引量:2
1997年
提出一种IC芯片设计中双极型器件直流模型参数的提取方法.采取GP模型建立双向目标函数进行全局优化提取.分1级和2级参数两层处理.1级参数系提取IC设计中各管的共同参数,2级参数则为提取与各个管的结构和尺寸相关的特定参数,尽管提取对象只是样管,但可以由模型内在关系通过程序计算出各管的特定参数.
邵志标向凌顶林长贵朱秉升
关键词:晶体管集成电路
共2页<12>
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