毛海平
- 作品数：16 被引量：85H指数：5
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 嵌入式电磁型微电机定子绕组的研制被引量：7
- 1999年
- 阐述了采用ＮｉＦｅ 合金作为微电机定子绕组的铁芯材料，完成了电磁型微电机从非嵌入式向常规的嵌入式定子绕组的转变，无论是从定性分析还是从最后的测量结果都证明在相同的条件下，嵌入式电磁型微电机定子绕组的输出力矩要大大高于非嵌入式定子绕组的输出力矩，由原来的１－５μＮｍ 提高到４μＮｍ 。
- 赵小林丁桂甫张明生倪智平毛海平
- 关键词：嵌入式绕组微电机定子电磁型
- DEM技术中PMMA深层刻蚀工艺研究
- DEM技术是由上海交通大学开发出来的一种全新的三维微细加工技术.本文旨在研究DEM技术中利用反应离子刻蚀(RIE)深层刻蚀塑料PMMA的工艺.主要研究了刻蚀功率、工作气压、刻蚀气体流量等对刻蚀速率、侧壁和底部状态等的影响...
- 杨帆陈迪李以贵唐敏毛海平李昌敏倪智萍
- 关键词：DEM技术反应离子刻蚀PMMA深层刻蚀微机械电子系统
- 文献传递
- 多层微桥试验法测量薄膜力学性能的研究
- 2008年
- 本文推导了表征多层结构微桥试验挠度-载荷关系的特征参数。通过MEMS(微机电系统)技术制备了包含亚微米厚度NiFe和Cu薄膜的5层和8层微桥,采用XP纳米压痕仪进行微桥试验。基于小挠度理论和固支(built-in)边界条件,通过时不同长度微桥挠度-载荷关系曲线的研究,计算了梁弯由刚度和单位宽度残余合力,并提出了一种估算薄膜机械性能的方法。得到NiFe薄膜弹性模量、残余应力分别为201.54GPa和270:75MPa,Cu薄膜为120.15GPa和50.31MPa。
- 周志敏周勇曹莹丁文毛海平
- 关键词：MEMS机械性能
- 用于电子束蒸镀金属银膜的钨坩埚改造被引量：1
- 2022年
- 采用钨坩埚和电子束蒸发设备蒸镀金属银薄膜时,银在熔融状态下和钨坩埚是浸润的,坩埚内熔融金属的液面呈凹陷形状。这类凹陷形状的蒸发源,常常会导致被沉积薄膜的均匀性变差。根据固体表面微结构会改变液体与固体接触角的理论,本文尝试用化学腐蚀的方法在光滑平整的钨坩埚内壁上加工出沟槽阵列,来改变熔融金属材料与钨坩埚内壁的接触角,从而改变液态银与钨坩埚壁的浸润性。结果表明,当沟槽宽约1mm,深约0.5mm,周期约2mm时,熔融的金属银和钨坩埚内壁不再浸润。用改造前和改造后的钨坩埚分别蒸镀厚度100nm的银膜,发现改造后的钨坩埚可以有效提高蒸镀薄膜的均匀性。
- 付学成乌李瑛栾振兴毛海平王英
- 关键词：电子束蒸发银薄膜微结构均匀性
- 有机玻璃的反应离子深刻蚀被引量：1
- 2004年
- 以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压增大而加快,刻蚀速率主要受氧活性粒子浓度控制;气压超过一定值时,刻蚀速率反而减小,气压太高不利于各向异性刻蚀.刻蚀速率随功率增加而增大,适当增大功率有利于各向异性刻蚀.通过优化刻蚀工艺,可以获得侧壁较陡直光滑的有机玻璃微结构,扩展了加工微结构的方法.
- 张丛春杨春生丁桂甫毛海平倪智萍
- 关键词：反应离子刻蚀有机玻璃微结构微机电系统
- 直径1mm电磁型微电机
- 张琛丁桂甫赵小林杨春生蔡炳初周狄冯建智朱军唐晓宁毛海平倪智平
- 直径1mm电磁型微电机的技术原理是以直径2mm电磁型微电机微基础，并根据实际情况对磁极的个数作了适当调整，另外在电机绕组的匝数，绕组的层数作了相应的调整， 该项目的主要技术创造是在直径1mm之后，完成9只绕组和12极磁性...
- 关键词：
- 关键词：微电机电磁型
- 共面波导有限金属厚度效应的研究被引量：5
- 2004年
- 用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析 ,编制了相应的计算机程序 ,给出了数值解 ,并对此进行了多元曲线拟合 ,导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解 ,并与K .C .格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较 。
- 蒋振新丁桂甫杨春生毛海平张永华
- 关键词：共面波导特征阻抗导体损耗
- 叠层光刻胶牺牲层工艺研究被引量：9
- 2005年
- 通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使用丙酮与F117进行应力释放等方法改进工艺后,解决了在叠层光刻胶牺牲层工艺中极易出现的烘胶龟裂、光刻胶不容易去除干净、去除电镀种子层时产生絮状物和悬空结构释放时易黏附等问题。运用叠层光刻胶牺牲层改进工艺可以制备出长4 mm,悬空高度20μm,平面误差不超过3μm的悬空结构。
- 姜政丁桂甫张永华倪志萍毛海平王志明
- 关键词：光刻胶牺牲微加工
- RF溅射制备Ta_2O_5薄膜及其电学性能的研究被引量：4
- 2005年
- 高介电常数薄膜广泛应用于动态随机存储器中.本文主要采用反应溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了在25～100nm厚度范围内薄膜的电学性能.讨论了不同退火时间对Ta2O5薄膜结构和性能的影响,测量了退火后薄膜的漏电流,并计算出其介电常数.
- 曹莹丁文毛海平周勇
- 关键词：TA2O5电学性能漏电流随机存储器
- SU-8厚胶光刻工艺研究
- 本文对一种新的负性近紫外光刻胶SU-8的光刻工艺进行了详细研究.SU-8是一种基于环氧树脂的光刻胶,专为要求超厚和高深宽比的MEMS应用而设计,但它对工艺参数的改变非常敏感,难于控制.本文以30μm厚的SU-8为例,详细...
- 唐敏陈迪赵小林倪智萍朱军李昌敏毛海平
- 关键词：SU-8高深宽比光刻工艺光刻胶
- 文献传递
