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濮林: 作品数：90 被引量：61H指数：4; 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>; 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

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Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析: 2010年; 结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构,采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征。Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上,通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中,由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移。; 叶敏华王丁迪徐子敬濮林施毅韩民张荣郑有蚪; 关键词：纳米点纳米线微结构

一种非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法: 非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存...; 徐跃闫锋濮林纪晓丽

微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征被引量：4: 2008年; 本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长机制进行了讨论,特别分析了孵化层形成和演化、以及对晶化率、柱状晶粒生长的作用特征.实验测量分析表明,在薄膜生长的初期阶段,形成一个嵌入大量小晶粒的非晶孵化层,并随着薄膜厚度的增加其非晶成份减少,晶化率不断提高,晶粒开始长大并结聚成团,形成大的晶粒,沿生长方向上形成横向尺寸为百纳米级的柱状晶粒.红外透射谱的结果证实2 100 cm-1附近吸收来源于位于晶界区或微孔内表面团簇化的SiH键的吸收.同时,适当的等离子能量在薄膜生长过程中有利于抑制氧的影响.目前的研究加深了对薄膜PECVD生长过程和生长机制的理解,有利于加强对太阳电池用的硅薄膜形态和质量的控制.; 左则文闾锦管文田濮林施毅郑有炓; 关键词：等离子体化学气相沉积微结构晶化率

聚苯胺纳米结构纸张: 聚苯胺是一种重要的智能高分子材料,其物理化学性质与其可逆氧化还原反应性及酸、碱环境中的掺杂、脱掺杂反应密切相关。聚苯胺随微观分子结构的变化而显示出超亲水/超疏水、电导率变化、光活性变化、电致变色、人工肌肉、和能量存储等性...; 潘力佳施毅濮林窦春萌张荣郑有炓; 文献传递

在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN被引量：1: 2005年; 利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。; 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓; 关键词：INN MOCVD

一种精确的多值存储单元的编程方法: 精确的多值存储单元编程方法，步骤如下：首先将处于擦除状态的单元以较低的编程脉冲电压，通过连续的多个脉冲ISPP方法编程到阈值电压最低位的编程状态；验证编程后的阈值电压是否达到第一级编程验证电压V<Sub>PV1</Sub...; 徐跃闫锋濮林纪小丽; 文献传递

基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法: 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法，以(001)晶向的普通硅片或SOI材料为衬底；表面淀积一层绝缘层作为掩膜；电子束直写工艺或光学光刻在表面的电子束抗蚀剂或光刻胶上制备纳米细线条结构；显影后进行干法刻蚀，将版...; 施毅陈杰智濮林郑有炓龙世兵刘明; 文献传递

一种电感应的可变浅结作为源漏区的浮栅型快闪存储器: 一种可变浅结作为源漏区的浮栅结构快闪存储器，在基底P型半导体材料上方的两侧设有重掺杂N型半导体区域分别构成源极、漏极，基底中央区域的正上方依次设有底部遂穿层、浮栅存储层和顶部阻挡层，顶部阻挡层上方设有控制栅极；其中，浮栅...; 徐跃闫锋濮林纪小丽

聚苯胺纳米结构的可控合成方法和用途: 本发明涉及一种新型聚苯胺自组装纳米结构的可控合成方法，本发明方法是将聚合反应在高压釜中以100-250℃的温度、采用质子酸作为掺杂剂进行氧化聚合反应，得到聚苯胺的薄片结构，薄片表面同时具有整齐排列的聚苯胺纳米棒(纤维)阵...; 潘力佳施毅濮林; 文献传递