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王宝林

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇溅射
  • 6篇存储器
  • 5篇叠层
  • 5篇叠层结构
  • 5篇氧化钒薄膜
  • 5篇离子束
  • 5篇离子束溅射
  • 5篇层结构
  • 4篇射频溅射
  • 3篇低功耗
  • 3篇氧化铪
  • 3篇功耗
  • 2篇氧化钒
  • 2篇氧化铝
  • 2篇蒸发工艺
  • 2篇铪
  • 1篇单极性
  • 1篇电极
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性

机构

  • 8篇天津理工大学

作者

  • 8篇王宝林
  • 7篇王芳
  • 7篇孙阔
  • 7篇张楷亮
  • 6篇孙文翔
  • 6篇陆涛
  • 5篇赵金石
  • 3篇冯玉林
  • 2篇胡曦文
  • 2篇王雨晨
  • 2篇韦晓莹
  • 1篇程文可
  • 1篇关雪

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种低功耗阻变存储器及其制备方法
一种低功耗阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和二氧化硅薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、二氧化硅薄膜1-50nm、上电极50-2...
张楷亮孙阔王芳王宝林冯玉林赵金石程文可关雪
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一种双向限流器件及其制备方法
一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射...
张楷亮孙阔王芳王宝林孙文翔陆涛鉴肖川
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一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔韦晓莹王宝林冯玉林赵金石
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔王宝林赵金石胡曦文王雨晨
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔王宝林赵金石胡曦文王雨晨
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一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔韦晓莹王宝林冯玉林赵金石
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氧化铪无源高密度阻变存储器特性研究
随着集成电路工艺技术节点的不断微细化，基于电荷存储机制的FlASH非挥发性存储器在高密度、高速度等方面优势不再明显。阻变存储器（RRAM）则由于具有操作电压低、读写速度快、重复操作耐受性强、存储密度高、数据保持时间长等诸...
王宝林
关键词：氧化铪电学特性
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一种双向限流器件及其制备方法
一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射...
张楷亮孙阔王芳王宝林孙文翔陆涛鉴肖川
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