王建华
- 作品数：15 被引量：80H指数：5
- 供职机构：合肥工业大学理学院更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学一般工业技术更多>>
- MEMS技术现状及应用被引量：27
- 2003年
- 微机电系统(MEMS)技术是一门新兴的技术,它将微电子技术和精密机械加工技术融合在一起,实现了微电子与机械的融为一体。近年来,对MEMS的技术发展、加工工艺及其产业化的研究也被越来越多的人所重视。文章介绍了MEMS的特点与技术发展现状、MEMS器件的类型及其功能,并以多层弯曲磁芯结构微执行器为例介绍了磁驱动微执行器工作原理与制作工艺过程。
- 杨友文王建华
- 关键词：MEMS技术微机电系统
- 硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系被引量：1
- 2004年
- 从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系。此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度变化的关系。
- 肖滢滢黄庆安王建华
- 关键词：键合键合强度
- 蒙特卡罗模拟在辉光放电鞘层离子输运研究中的应用被引量：2
- 2004年
- 利用蒙特卡罗方法模拟氩气直流辉光放电鞘层内离子的运动过程 .模拟基于离子与中性原子的电荷转移和弹性散射两种主要的散射过程 ,考虑了碰撞截面与能量相关和不相关两种情况 ,在弹性散射中采用了势场相互作用模型和刚性球碰撞两种模型 .通过模拟得到不同气压和不同放电电压下离子入射阴极的能量分布和角度分布 。
- 王建华金传恩
- 关键词：蒙特卡罗模拟辉光放电等离子体鞘层离子输运弹性散射
- 静电执行的MEMS多层膜材料参数在线提取方法被引量：8
- 2004年
- 基于静电执行结构 ,结合能量法 ,推导出不等宽多层两端固支梁在静电作用下发生吸合 (pull- in)现象时吸合电压的解析表达式 ,并用数值方法进行了拟合修正 ,用 Coventorware软件进行的模拟表明所得拟合表达式具有较高的精度 .由于吸合电压与梁的材料参数和几何尺寸有关 ,通过改变梁的几何尺寸可以得到不同的吸合电压值 ,从而得到梁各层材料的参数 。
- 聂萌黄庆安王建华戎华李伟华
- 关键词：吸合
- 新型集成电路隔离技术——STI隔离被引量：3
- 2002年
- 集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用。传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的原因,将被浅沟隔离技术所取代。论述了集成电路进入深亚微米时代后的STI(浅沟隔离)技术,指出了STI隔离工艺的主要特点、关键工艺及工艺实现方法。
- 闻黎王建华
- 关键词：集成电路
- 新型集成电路互连技术——铜互连技术被引量：3
- 2002年
- 传统铝互连技术面临的挑战集成电路特征线宽缩小到0.13μm以下乃至进入纳米阶段后,金属布线的层数越来越多(逻辑器件达7～8层),金属导线的自身电阻及其间的寄生电容越来越成为影响器件速度的制约因素。所以,金属导线的互连技术也是目前必须解决的工艺问题之一。
- 闻黎王建华
- 关键词：铜互连技术互连工艺寄生电容集成电路刻蚀工艺
- 阶越反向恢复法测量PIN二极管少子寿命
- 2004年
- 少子寿命是 PIN二极管的重要参数 ,对二极管的正向压降和开关时间有很大的影响。阶越反向恢复法是常用的测试少子寿命方法之一。本文通过分析电荷控制方程得到了更精确的表达式 ,并用这种方法计算了储存电荷法的公式。表达式用 MEDICI器件模拟软件进行了验证。结果表明与目前常用的方法相比 ,本文的方法具有更好的精确性 ,而且简单易行 。
- 崔国庆黄庆安王建华
- 关键词：少子寿命PIN二极管
- PIN二极管少子寿命测试方法被引量：2
- 2004年
- 少子寿命是PIN二极管的重要参数。对二极管的正向导通压降和开关时间有重要影响。本文介绍了常用的测量低掺杂区少子寿命的方法 ,包括阶越反向恢复法、线性反向恢复法、储存电荷法、开路电压衰减法 (OCVD)和射频测试法 ,并指出了各种方法的优点和不足。重点介绍了阶越反向恢复法和线性反向恢复法 ,对实际的测试过程具有一定的指导作用。
- 崔国庆王建华黄庆安秦明
- 关键词：PIN二极管少子寿命开关时间
- 多层悬臂梁静电作用下的弯曲及吸合电压分析被引量：11
- 2004年
- 多层悬臂粱MEMS器件具有广泛的应用,其吸合电压对器件性能有重要影响。通过选取合适的挠度试函数,并考虑多层悬臂梁中的绝缘层对等效间隙高度的影响,运用能量法分析了多层悬臂梁在静电作用下的弯曲情况。推导出了梁在发生吸合现象时,其自由端归一化的挠度值和对应的吸合电压的解析表达式。用Coventor软件中的CoSolveEM模块验证所得公式,表明模型具有较高的精度。所得结论对静电执行结构设计具有一定的参考价值。
- 聂萌黄庆安王建华戎华
- 关键词：MEMS静电作用
- 在硅和硬质合金基体上金刚石薄膜生长研究
- 1994年
- 在硅和硬质合金基体上，用热丝CVD法生长出金刚石薄膜。利用X衍射、拉曼谱和扫描电镜对金刚石薄膜的结构形貌进行了检测，并与天然金刚石对比分析。
- 王和照王建华
- 关键词：金刚石薄膜硅硬质合金
