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王树堂

作品数：23 被引量：35H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 19篇电子电信

主题

  • 8篇光电
  • 8篇二极管
  • 7篇半导体
  • 6篇激光
  • 6篇发光
  • 6篇INGAAS...
  • 5篇激光器
  • 4篇雪崩
  • 4篇雪崩光电二极...
  • 4篇光电二极管
  • 4篇发光二极管
  • 4篇ALGAIN...
  • 3篇导体
  • 3篇探测器
  • 3篇可见光
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇半导体量子阱

机构

  • 23篇中国科学院
  • 1篇国家工程研究...

作者

  • 23篇王树堂
  • 13篇马骁宇
  • 13篇陈良惠
  • 8篇李玉璋
  • 7篇曾靖
  • 6篇王国宏
  • 5篇曹青
  • 4篇杨志鸿
  • 4篇郭良
  • 4篇夏彩虹
  • 3篇胡春阳
  • 3篇孙捷
  • 3篇熊飞克
  • 2篇周洲
  • 2篇王丽明
  • 2篇李锋
  • 2篇归强
  • 2篇樊爱香
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  • 1篇谭满清

传媒

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  • 2篇半导体光电
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光学技术
  • 1篇光子学报
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  • 1篇高科技与产业...
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇光通信技术
  • 1篇第七届全国L...
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  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1986
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
1996年
用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。
熊飞克郭良马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠
关键词：半导体激光器GAINPALGAINP
一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器
1997年
在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs／InP实用化光电探测器，它可在0．5～1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测，并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。
周洲曾靖归强张玉芳马骁宇王树堂
关键词：光电探测器光纤通信CATV
高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器被引量：4
1997年
用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定批量生产能力，批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA，额定输出光功率不小于5mw，标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实用要求。
熊飞克郭良马骁宇王树堂陈良惠
关键词：激光器半导体激光器可见光
高速ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电探测器
杨志鸿王树堂
关键词：光电探测器传输特性半导体工艺
高效发光二极管及其制造方法
本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收，利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层，其中磷化铝镓铟(Al...
王国宏马骁宇曹青王树堂李玉璋陈良惠
文献传递
AlGaInP高亮度发光二极管被引量：11
1999年
分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率，而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管，发光波长峰值在６０５ｎｍ，ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ，２０ｍＡ工作电流下，５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ，最大３０ｍｃｄ，平均工作电压１．９Ｖ，透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。
李玉璋王国宏马骁宇曹青王树堂陈良惠
关键词：发光二极管低压有机金属气相外延铝镓铟磷
MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件被引量：2
1993年
讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
杨志鸿王树堂曾靖朱龙德孙捷夏彩虹沈戎归强
关键词：量子效率
AlGaInP橙色发光二极管的研制被引量：3
1998年
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。
王国宏马骁宇王树堂曹青彭怀德李玉璋陈良惠
关键词：LP-MOCVD发光二极管
GaN基蓝光半导体激光器及其在光存储中的应用
陈良惠王树堂种明
关键词：半导体激光器光存储
文献传递
长波长InGaAs/InP APD光接收组件
1992年
在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.
胡春阳王树堂曾靖夏彩虹何军周洲
关键词：光纤通信APD铟镓砷
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