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王永存

作品数:7 被引量:2H指数:1
供职机构:中北大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇晶体管
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇电场
  • 2篇电光
  • 2篇电光调制
  • 2篇电光调制器
  • 2篇调制器
  • 2篇迁移率
  • 2篇外电场
  • 2篇微环
  • 2篇微环谐振
  • 2篇微环谐振腔
  • 2篇谐振腔
  • 2篇介质层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成光学
  • 2篇集成光学芯片
  • 2篇沟道
  • 2篇光调制

机构

  • 7篇中北大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 7篇王永存
  • 6篇薛晨阳
  • 5篇张文栋
  • 5篇刘俊
  • 4篇熊继军
  • 4篇王永华
  • 3篇刘耀英
  • 2篇韦丽萍
  • 2篇田学东
  • 2篇高立波
  • 2篇崔丹凤
  • 1篇唐军
  • 1篇李铁

传媒

  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2016
  • 4篇2014
  • 1篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
GaAs基HEMT嵌入式微加速度传感器力电耦合系数研究
2013年
设计加工了一种GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)嵌入式微加速度传感器结构,通过软件仿真和实验测试相结合的方法,研究了所设计的微结构在平行于HEMT生长方向上(Z方向)不同加速度作用下敏感单元HEMT的力电耦合特性。实验结果表明:GaAs基HEMT微加速度传感器在其低量程范围内(0~15gn)敏感单元HEMT的力电耦合系数较稳定,且其力电耦合系数为10-8数量级,比常规Si压阻式加速度传感器的力电耦合系数10-10高出2个数量级。
田学东薛晨阳王永存刘俊唐军
关键词:高电子迁移率晶体管砷化镓传感器
石墨烯晶体管的加工及测试研究被引量:2
2014年
石墨烯晶体管因其超高响应频率和超小的体积成为新一代半导体基础器件的发展趋势。针对不同结构的石墨烯晶体管在电学特性上存在差异,通过化学气相沉积法(CVD)在铜箔上生长石墨烯薄膜,转移石墨烯薄膜到Si/SiO2基底上,经过光刻、等离子体刻蚀、电子束蒸发和ALD等工艺制备出顶栅结构的石墨烯晶体管和背栅结构的石墨烯晶体管,通过测试两种结构的石墨烯晶体管,比较了顶栅结构的晶体管和背栅结构的晶体管的栅调制效果和开关比。分析得到,顶栅结构的石墨烯晶体管的栅调制效果和开关比好于背栅结构的石墨烯晶体管。
王永存薛晨阳刘耀英田学东张文栋李铁
关键词:晶体管开关比
基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法
本发明为一种基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法。首先进行光波导微环谐振腔的仿真与设计,选出Q值较高的设计并进行工艺流片,然后取已有的SOI片进行光波导微环谐振腔的工艺制备,接着在制备好的光波导微环谐...
张文栋薛晨阳王永华熊继军刘俊韦丽萍崔丹凤王永存
文献传递
石墨烯场效应晶体管设计加工及特性研究
石墨烯材料的发现已经十年了,十年中关于石墨烯的研究一直是国内外的热点,石墨烯是未来最有希望取代硅成为最广泛应用的半导体材料,石墨烯场效应晶体管也因其超高响应频率和超小的体积成为新一代半导体基础器件的发展趋势。本文主要针对...
王永存
关键词:石墨烯晶体管光刻等离子体刻蚀
文献传递
凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法
本发明为一种凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法,解决了石墨烯沟道与衬底和栅介质层直接接触带来的性能降低的问题。本发明方法在衬底上形成凹槽结构,在凹槽底部制作栅电极和栅介质,然后转移石墨烯薄膜至衬底上以覆盖凹槽,且在...
张文栋薛晨阳王永存熊继军刘俊刘耀英高立波王永华
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基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法
本发明为一种基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法。首先进行光波导微环谐振腔的仿真与设计,选出Q值较高的设计并进行工艺流片,然后取已有的SOI片进行光波导微环谐振腔的工艺制备,接着在制备好的光波导微环谐...
张文栋薛晨阳王永华熊继军刘俊韦丽萍崔丹凤王永存
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凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法
本发明为一种凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法,解决了石墨烯沟道与衬底和栅介质层直接接触带来的性能降低的问题。本发明方法在衬底上形成凹槽结构,在凹槽底部制作栅电极和栅介质,然后转移石墨烯薄膜至衬底上以覆盖凹槽,且在...
张文栋薛晨阳王永存熊继军刘俊刘耀英高立波王永华
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共1页<1>
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