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王萍

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电流
  • 3篇电流密度
  • 2篇热阴极
  • 2篇大电流
  • 2篇大电流密度
  • 1篇电真空
  • 1篇电真空器件
  • 1篇阴极
  • 1篇真空器件
  • 1篇钪酸盐
  • 1篇钨粉
  • 1篇钨阴极
  • 1篇钪
  • 1篇热特性

机构

  • 4篇北京真空电子...

作者

  • 4篇王萍
  • 2篇李季
  • 2篇王辉
  • 1篇邵文生
  • 1篇高玉娟
  • 1篇朱木易
  • 1篇李娜

传媒

  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
大电流密度热阴极的实现途径
毫米波、自由电子激光、高功率微波及太赫兹器件对大电流密度阴极具有迫切的需求。实现大电流密度热阴极的主要途径包括改善基体均匀性、减小基体颗粒尺寸、优化发射盐配方、表面覆膜等。通过三种工艺均实现了100A/cm2的大电流密度...
邵文生李娜王辉王萍高玉娟朱木易
关键词：大电流密度热阴极钪酸盐
文献传递
Φ2mm的快热阴极热子组件的研制
本文介绍了阴极直径为Φ2mm的快热阴极热子组件的一种设计方案,在对此种结构的阴极热子组件进行瞬态升温的仿真模拟的基础上,完成了快热阴极热子组件的研制。并对所研制的快热阴极热子组件进行了快热特性试验,得到的结果是:当热子冲...
王萍王辉
文献传递
新型纳米薄膜钪钨阴极的研究被引量：2
2009年
介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃(亮度温度)可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。同时作者指出:含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是"场助热电子发射"机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持。
王萍李季
关键词：大电流密度
顶层钪钨阴极制造工艺和发射性能的研究
本文介绍了一种新型的顶层钪钨阴极的制造工艺，并对其发射性能进行了测试。该阴极在1000℃b可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。
王萍李季
关键词：电真空器件电流密度
文献传递
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