程国峰
- 作品数：58 被引量：72H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术化学工程机械工程更多>>
- 一种制备InSeI单晶体的方法
- 本发明涉及一种制备InSeI单晶体的方法，包括：（1）以单质In、单质Se和单质I<Sub>2</Sub>作为原料，均匀混合后置于石英管的一端并抽真空后密封；（2）再将密封后的石英管放入双温区管式炉中，同时将装有原料的一...
- 程国峰周玄尹晗迪阮音捷孙玥
- 文献传递
- 纳米ZnO微结构的XRD研究
- 本文研究微结构的一般理论与方法以及在此基础上的改进分离微晶-层错宽化效应的最小二乘法,详细的研究了纳米级的ZnO的微结构(平均晶粒尺度和层错几率).
- 程国峰杨传铮贾广强黄月鸿
- 同步辐射的基本知识 第二讲 同步辐射中的衍射术及其应用(四)
- 2008年
- 程国峰杨传铮黄月鸿
- 关键词：知识能量色散X射线
- 同步辐射的基本知识 第二讲 同步辐射中的衍射术及其应用(八)
- 2008年
- 程国峰杨传铮黄月鸿
- 关键词：氧化物材料知识衍射合金材料
- 同步辐射的基本知识 第六讲同步辐射中的光刻、微加工和其他技术及其应用
- 2010年
- 传统的集成电路（IC）和超大规模硅集成电路（VLSIC）的制作是基于微电子电路版图设计和芯片的微加工工艺。微加工工艺包括掩模制作、薄膜工艺、涂胶、曝光、刻蚀、外延以及杂质扩散等。典型的双极型集成电路工艺中共经过六次（阴埋、隔离、基极、发射极、表面SiO_2绝缘层和铝线）光刻，每次的掩模板都不同。
- 杨传铮程国峰黄月鸿
- 关键词：微加工工艺光刻硅集成电路知识集成电路工艺
- 密堆六方纳米ZnO的X射线衍射表征与研究被引量：2
- 2008年
- X射线衍射(XRD)实验发现密堆六方纳米ZnO的hkO、h-k=3n的衍射线,仅存在微晶宽化,而h-k=3n±1的衍射线,无l=偶数、l=奇数的层错选择宽化效应.为了表征这种纳米ZnO的晶粒大小和层错几率,提出了分解纳米ZnO微晶-层错二重宽化效应的最小二乘法.计算结果表明:密堆六方纳米ZnO的晶粒大小和层错几率与制备方法、原料配比等有关.
- 程国峰杨传铮黄月鸿
- 关键词：ZNO晶粒大小层错几率
- 一种衍射仪用长度可调的发散狭缝
- 本实用新型提供了一种衍射仪用长度可调的发散狭缝，包括：基板，所述基板插入衍射仪光路中且形成有使射线通过的长条形的缝隙；调整机构，所述调整机构具备固定于所述基板的调整螺杆和连接于所述调整螺杆且位于所述缝隙中的盖板，所述盖板...
- 程国峰阮音捷孙玥尹晗迪
- 文献传递
- 同步辐射的基本知识 第四讲 同步辐射中的光谱术及其应用(一)被引量：1
- 2009年
- 杨传铮程国峰黄月鸿
- 关键词：同步辐射光源知识X射线衍射谱
- 同步辐射的基本知识 第四讲 同步辐射中的光谱术及其应用(五)
- 2009年
- 8Raman谱和非弹性散射谱8．1Raman谱（1）Raman效应1928年，印度物理学家Raman发现，当单色光作用于试样时会产生散射光。在散射光中，除了与入射光具有相同频率的Rayleigh散射光外，还发现有一系列其他频率的散射光，这些散射光对称地分布在Rayleigh散射光的两侧，且其强度要比Ray—leigh光低得多，通常只为Rayleigh光的10^-6～10^-9国倍，这种效应称为Raman效应。其中波长比Rayleigh光长的称为Stockes线，而波长比Ray—leigh光短的称为反-Stockes线。表1给出Raman散射和Rayleigh散射的能量转移模型。
- 杨传铮程国峰黄月鸿
- 关键词：RAMAN谱RAMAN散射知识
- 粉末X射线衍射仪填样深度效应的研究
- ＜正＞1.衍射几何分析图1（a）、（b）给出在对称Bragg几何中填样深度的宽化效应分析,从图中可清晰看到:（1）在相同的2θ位置,填样深度越深,宽化效应就越大,并向低角度方向宽化;（2）由于这种非对称宽化效应,使得峰位...
- 程国峰杨传铮张健
