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肖鸣山

作品数：42 被引量：75H指数：6
供职机构：山东大学信息科学与工程学院电子工程系更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 24篇电气工程
  • 21篇一般工业技术
  • 10篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 31篇陶瓷
  • 13篇SRTIO
  • 12篇电性质
  • 12篇介电性质
  • 9篇介电
  • 8篇ND
  • 7篇电容
  • 7篇电容器
  • 5篇钛酸
  • 4篇电阻
  • 4篇改性
  • 3篇导电性
  • 3篇导体
  • 3篇压电
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇压敏
  • 3篇氧化钕
  • 3篇氧化铈
  • 3篇钛酸锶
  • 3篇稀土

机构

  • 41篇山东大学
  • 1篇山东轻工业学...

作者

  • 41篇肖鸣山
  • 22篇王成建
  • 21篇张承琚
  • 5篇韩力群
  • 5篇陈洪存
  • 5篇兰建胜
  • 4篇陈玲
  • 4篇张子清
  • 3篇陈晨
  • 3篇庄得新
  • 3篇栾开政
  • 3篇李祥晨
  • 2篇张汝贞
  • 2篇林乐忠
  • 1篇岳书彬
  • 1篇黄佶
  • 1篇李翠萍
  • 1篇陈晨
  • 1篇陈玲
  • 1篇尚淑霞

传媒

  • 8篇功能材料
  • 7篇稀土
  • 7篇中国稀土学报
  • 4篇压电与声光
  • 4篇电子元件与材...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇国外电子元器...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇第三次全国功...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1998
  • 4篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1995
  • 7篇1994
  • 5篇1993
  • 7篇1991
  • 4篇1990
  • 5篇1989
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SrTiO_3为基的介质陶瓷的结构与介电性质
1989年
本文主要研究0.91(Sr_(0.84)Pb_(0.16))TiO_(?)+0.09(Bi_2O_3·3.5TiO_2)介质陶瓷的结构与介电性质。用扫描电镜和 X 射线衍射分析表明,此种材料在室温下为顺电立方相,具有晶粒小且均匀、致密度高等特点。介电测量表明,在10kHz～90MHz 范围内样品的介电常数ε′基本上保持不变,而介电常数ε″随频率的增加而平坦地增大。
庄德新王成建肖鸣山张子清许文义
关键词：介质陶瓷钛酸锶介电性质
采用热敏电阻的电磁阀驱动电路
一种采用PTC的电磁阀驱动电路，属驱动电路。该电路采用PTC元件和一电容器相并联，串接入交流电源电路中，经整流变为直流后去驱动电磁阀。该电路省掉了传统电路中的启动电路，故节约了元器件，成本可降低50％以上；使用该电路可改...
张承琚王成建肖鸣山林乐忠
文献传递
用Nd_2O_3改性的SrTiO_3陶瓷被引量：3
1993年
用Nd_2O_3对SrTiO_3陶瓷加以改性可以提高其介电常数和降低介质损耗,对其温度特性和频率特性也有明显的改善。主要论述Nd_2O_3对SrTiO_3陶瓷介电性质的影响。
肖鸣山韩力群陈晨
关键词：介电性质
CeO_2对SrTiO_3陶瓷电导性的影响
1995年
ＣｅＯ＿２改性的ＳｒＴｉＯ＿３陶瓷采用传统的陶瓷工艺制备。ＳｒＴｉＯ＿３基质与ＣｅＯ＿２按化学式ＳｒＴｉＯ＿３＋ｘ（ＣｅＯ＿２ｎＴｉＯ＿２）配比［ｘ（ｗｔ％）分别为２、５、１０、１５、２０、２５和３０］。样品在１４００℃下烧结１ｈ。Ｃｅ在ＳｒＴｉＯ＿３陶瓷中起施主杂质作用。扫描电镜形貌分析和Ｘ射线物相观察表明，在此种陶瓷中有Ｃｅ＿２Ｏ＿３第二相即玻璃相存在，并对毒害ＳｒＴｉＯ＿３陶瓷半导体化的杂质有固溶性质；同时，Ｃｅ＿２Ｏ＿３第二相还具有减薄晶粒表面氧化层的作用，从而增加了晶粒电导特性。在室温下，ＣｅＯ＿２改性的半导体ＳｒＴｉＯ＿３陶瓷具有畸变的立方结构。
肖鸣山王成建陈玲张承琚王希香
关键词：半导体陶瓷电导性氧化铈
高介电常数低损耗SrTiO_3介质陶瓷
1991年
报告了重量比为57.5% SrTiO_3-31.5% PbTiO_3-6.7% Bi_2O_3-3.3% TiO_2-0.1% MnO_2-0.5% MgO-0.3% Nb_2O_5-0.1%SiO_2介质陶瓷的制备工艺和介电性质,给出了介电常数ε和介质损耗tanδ随烧成温度T的变化规律,描述了ε和tanδ的温度特性和频率特性.介电测量表明,此种介质陶瓷是制造大电容量、低介质损耗高压陶瓷电容器的优良材料.
张承琚栾开政王成建肖鸣山
关键词：介质陶瓷介电性质介电常数介质损耗
钒酸铈陶瓷的介电性质研究
1991年
钒酸铈(CeVO_4)是轻稀土钒酸盐的一种。文献对它的磁性能和晶场效应在室温以下的温度范围作了广泛的研究。本文作者在室温至550℃的温度范围,测量了CeVO_4的电阻R和介电常数ε的温度特性。在室温下,从10Hz～550MHz的频率范围测量了介电常数和损耗角正切值tgδ的频率特性,并讨论了测量结果。
张承琚栾开政肖鸣山
关键词：陶瓷介电性质
稀土元素掺杂的SrTiO_3陶瓷的AC复阻抗谱被引量：2
1994年
ＡＣ复阻抗方法已广泛地用于表征电子材料。本项研究测量了稀土元素Ｌａ，Ｎｄ和Ｙ掺杂的ＳｒＴｉＯ＿３陶瓷的ＡＣ复阻抗谱，从而使用ＡＣ复阻方法得到了有关晶粒和晶界的一些信息。
肖鸣山陈玲
关键词：稀土族掺杂
稀土Ce对BaTiO_3陶瓷介电性能的影响被引量：2
1990年
在-40～150℃温度范围内,测量了BaTiO_3+xwt%CeO_2陶瓷样品的介电常数ε和介电损耗tgδ及其温度特性;同时,在10Hz～500MHz频率范围(室温)内,测量了其频率特性;讨论了稀土氧化物CeO_2对BaTiO_3陶瓷介电性能影响的规律。研究结果表明,CeO_2的加入,使BaTiO_3陶瓷的ε提高,tgδ减少,居里温度Tc向低温方向漂移,居里峰展宽,其色散性明显降低。随CeO_2重量百分比含量x的增加,Tc移动很快,而ε和tgδ随频率变化愈趋于平坦。
栾开政张承琚肖鸣山李翠萍
关键词：BATIO3陶瓷铈介电性能
高容量SiO_2掺杂的（Ba，Pb）TiO_3基高居里温度PTCR陶瓷
1994年
在制备高质量的（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷时，一般采用铅气氛烧结方法。但是，这种烧结工艺制成的产品的相对成本是高的。作者的实验表明，高容量ＳｉＯ＿２掺杂烧结方法也可以用于制备高质量的（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷。本文主要报道高容量ＳｉＯ＿２对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷烧结工艺和电特性的影响。
肖鸣山王成建陈玲张承琚
关键词：掺杂BATIO3PBTIO3居里温度PTCR陶瓷
Sb_2O_3对ZnO基陶瓷性能的影响
1996年
本文主要报道Ｓｂ２Ｏ３杂质对ＺｎＯ基陶瓷性能的影响。
陈洪存肖鸣山吴良学张汝贞
关键词：陶瓷压敏性介电性氧化锑
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