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莫志强

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇镓
  • 1篇GA
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇查良镇
  • 1篇姜志雄
  • 1篇莫志强

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1994
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
注氧条件下GaAs中Ga^+二次离子发射的研究
1994年
在有与没有Ar+同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga+2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga+二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga+二次离子能量分布的影响。实验结果表明：注氧后Ga+二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2～3eV，说明氧对低能Ga+二次离子的增强作用更强，这可以用断键模型来解释。
莫志强姜志雄查良镇
关键词：砷化镓镓
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