解新建
- 作品数：53 被引量：40H指数：4
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响被引量：2
- 2018年
- 利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备的p-GaN薄膜中，制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描显微镜（SEM）和振动样品磁强计（VSM）研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形貌和磁性能的影响。研究结果表明：Ni离子注入未在GaN晶格中引入第二相，中等剂量的Ni离子辐照GaN样品在室温下具有顺磁性，800℃热退火后样品的磁性由顺磁性转化为铁磁性，具有较高的饱和磁化强度。热退火后p-GaN的晶格损伤恢复和空穴载流子浓度增加，因此800℃热退火样品的铁磁性转变是由于Ni离子的自旋电子与空穴栽流子的相互作用增强引起的。
- 梁李敏解新建刘辉田园郝秋艳刘彩池
- 关键词：氮化镓稀磁半导体离子注入铁磁性热退火
- 一种用于进行高温光致发光谱测量的样品台
- 本实用新型为一种用于进行高温光致发光谱测量的样品台，所述的样品台包括装样台、样品盖、样品支架和保温套；装样台为竖直放置的圆盘，其左侧中心同轴设置有圆形凹槽；样品盖为装有石英玻璃的中空样品盖，通过螺纹连接盖在样品凹槽上；装...
- 梁李敏解新建张兴华
- 文献传递
- 快速热退火法制备多晶硅薄膜的研究
- 本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(Raman)，扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜...
- 张会娟于经郝秋艳解新建刘彩池
- 关键词：非晶硅薄膜快速退火
- 文献传递
- 在实验教学中培养学生科学研究的能力被引量：2
- 2015年
- 针对大学生科研能力和动手能力缺乏的现状,在教授"信息材料测试与分析"课程中,借助开展"半导体材料电阻率测量"实验的机会,增加了实验内容和测量数据总量,引入了对数据进行分析研究的内容,使学生在完成一次综合性实验的同时,预演了一次科学研究过程,锻炼了学生的动手能力,培养了学生独立开展科学研究工作的能力。
- 张雯郝秋艳解新建
- 关键词：预演
- MOCVD生长的GaN薄膜中的应力分析
- 在各种GaN生长技术中,MOCVD法是目前使用较多、外延质量较高的一种外延方法。本文研究了一种衬底处理技术对MOCVD外延生长GaN薄膜中应力的影响。本实验在外延生长前用磷酸对蓝宝石衬底进行腐蚀预处理,外延生长完成后借助...
- 景微娜郝秋艳解新建刘彩池冯玉春
- 关键词：半导体薄膜GANMOCVD
- 文献传递
- 一种用于人工光合作用氮化镓串联CIGS的器件及其制备方法
- 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓串联CIGS的器件及其制备方法。所述器件自下而上依次有TCO层、ZnO层、CdS层、CIGS层、Mo层、In层、GaN层，n+‑GaN层、蓝宝石层。其制备步骤如下：在洁净的玻璃片上...
- 陈贵锋李寰张辉刘靳恬解新建赵雅婕
- 一种磁性块/片状样品用扫描电镜样品台
- 本实用新型为一种磁性块/片状样品用扫描电镜样品台。该样品台包括基台、滑块、立板、紧固螺杆和连接杆；基台为横截面为“T”型的滑条，中心有一个安装孔，左侧水平分布两个螺孔；滑块为下半部带有“T”型槽的板材，凹槽尺寸与基台横截...
- 赵彦明解新建权力伟郑士建
- 一种用于电化学析氢的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于电化学析氢的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料及其制备方法。本发明采用两步水热法，首先用水热法制备出掺钨的二氧化钒纳米棒，然后在硫酸中改性，最后以硫酸为溶剂，将改性的掺钨二氧化钒纳米棒与二水合钼酸钠...
- 陈贵锋张晓强陶俊光张辉解新建
- 缓冲层对外延生长GaN薄膜性能的影响被引量：2
- 2011年
- 用分子束气相外延生长(MBE)法,通过改变缓冲层AlN的生长时间沉积GaN薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱仪(Raman Spectroscropy),测试GaN薄膜的应力、平整度、粗糙度、晶体质量.研究了不同生长时间的缓冲层对GaN薄膜性能的影响,结果发现:生长30 min的缓冲层的样品B中的应力小于生长20 min缓冲层的样品A,并且样品B在晶体质量、平整度、粗糙度方面均优于样品A.
- 梅俊平王敏解新建刘彩池
- 关键词：GAN薄膜缓冲层应力原子力显微镜扫描电镜
- 准单晶硅技术研究进展被引量：7
- 2012年
- 准单晶硅结合了铸造多晶硅和直拉单晶硅的特点,既具有成本低,产量高的优势,又具有转化效率高的优点。但目前各企业和科研单位对准单晶硅的研究仍处于实验探索阶段。本文系统阐述了准单晶技术的研究进展,介绍了准单晶的两种铸造方法、与传统单晶硅相比所存在的优势、在国内外的发展状况及存在问题,并对其发展前景做了展望。
- 苏柳郝秋艳解新建刘彩池刘晓兵Jin Hao
- 关键词：晶界
