解玉凤
- 作品数：55 被引量：6H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备及其方法
- 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新方法，本存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选...
- 解玉凤林殷茵孟超程宽
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- 一种用于存内计算的数据编码方法和存内计算方法
- 本发明提供一种用于存内计算的数据编码方法和存内计算方法，由于采用了用于存内计算的数据编码方法分别对存储器内的原始数据以及输入的原始数据进行了针对存内计算的编码，得到编码后的存储数据以及输入数据，因此，明显降低了存内计算数...
- 解玉凤王渝胡显武马梓钊文淦王泽铭
- 唤醒对齐时间间隔计算方法及装置
- 本发明实施例提供一种唤醒对齐时间间隔计算方法及装置，通过传感器进行数据采集，然后根据预设处理规则对数据采集结果进行处理，预测用户对终端的使用需求状态，最后计算与使用需求状态相匹配的唤醒对齐时间间隔。根据“客观规律”，用户...
- 解玉凤徐徐然王渝杨皓轩姚涛沙爽
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- 一种不含温度传感器的多级温度控制自刷新存储设备及其方法
- 一种多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器(101)、分频器(102)以及DRAM阵列，该设备还包括扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)、选择电路(300)、多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，分...
- 解玉凤林殷茵孟超程宽
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- 应用关联启动的处理方法、装置及存储介质
- 本发明提供了一种应用关联启动的处理方法、装置及存储介质，包括：将与第一应用关联启动的其他应用按照时间进行聚类，得到第一应用的聚类中心，其中，聚类中心中包括其他应用；根据聚类中心确定第一应用请求关联启动的第二应用的关联状态...
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- 一种可防止旁路攻击的非挥发存储器的读电路
- 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种可抗旁路攻击的非挥发存储器的读电路结构。该结构包括存储单元，第一参考单元，第二参考单元，电压差放大电路，灵敏放大器，电流源，列选择晶体管，两个参考单元列选择晶体管，两个读使能控制...
- 解玉凤金越林殷茵
- 2B2R结构下高可靠性多值存储方法被引量：1
- 2010年
- 设计了一种运用互补单元,三极管作为选通管的2B2R结构,并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性,采用全新的以比值定义状态的存储方法,实现了四态多值存储.本设计中的相变存储单元在没有造成面积上牺牲的情况下,达到了1T1R四态多值存储单元的存储密度,并且改善了工艺波动对数据读出的影响,结合了占用面积小、存储密度大和可靠性高这3个优点,使得相变存储器在高密度,高可靠性的应用场合有着良好的前景.
- 徐乐解玉凤林殷茵
- 关键词：相变存储器
- 一种配置数据流安全性高的可编程逻辑器
- 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种配置数据流安全性高的可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括基于SRAM配置层的可编程逻辑阵列、非挥发片上存储器、安全机制控制电路、配置控制电路，接口模块，还可以包括其它模块；非挥发片上...
- 解玉凤周劲林殷茵
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- 一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法
- 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的...
- 林殷茵金钢尹明张佶吴雨欣解玉凤
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- 一种新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器被引量：4
- 2013年
- 介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20～60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温度传感器可以在1.8～3.6V的电源电压范围内安全可靠地工作,并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明,其输出电压斜率为3.9mV/°C,1.8V下功耗为1.3μW。
- 陈刚解玉凤林殷茵
- 关键词：电源抑制比
