谢家纯
- 作品数：32 被引量：95H指数：5
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性被引量：4
- 2004年
- 分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 。
- 许小亮杨晓杰谢家纯徐传明徐军刘洪图施朝淑
- 关键词：氧化锌P-N结硅电流-电压特性
- 范德堡方法在ZnO薄膜测试中的应用被引量：9
- 2004年
- 近年来 ,随着对宽禁带半导体材料 ,氧化锌薄膜研究的快速发展 ,对其电学性质的研究也显得尤为重要。主要介绍范德堡方法在ZnO薄膜电学性质测量中的应用 。
- 朱俊杰刘磁辉林碧霞谢家纯傅竹西
- 关键词：欧姆接触
- Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
- 黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se薄膜半导体材料由于较高的可见光吸收系数、稳定性能和禁带宽度接近理想带隙等诸多优点,已成为高效率光伏器件的候选材料之一。然而薄膜表层存在的类黄铜矿结构β-Cu(InGa)Se有序缺陷他合物相...
- 徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图
- 文献传递
- 基于单片机和CPLD的串行通信帧协议转换系统被引量：4
- 2003年
- 介绍一种基于MCS5 1单片机和Altera公司的MAX70 0 0S系列CPLD的全双工异步串行通信帧协议转换系统的设计与实现。重点介绍了异步串行通信收发器 (UART)的CPLD实现 ;以及单片机在未知待接收串行通信帧的帧长和界定符的情况下 ,对串行数据流按时域分帧的方法。
- 陈文建谢家纯徐军易波
- 关键词：51单片机CPLD
- SiC肖特基紫外探测器
- 本实用新型SiC肖特基紫外探测器，特征是其衬底为n+型半导体SiC(1)，衬底背面采用电子束蒸发并合金形成欧姆接触的TiNiAg层(2)，衬底上面是n型SiC外延层(3)，外延层上面中间有源区是电子束蒸发并合金形成肖特基...
- 谢家纯王丽玉
- 文献传递
- 以SiC为基的高性能紫外光电探测器
- 用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.本文测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在200nm~400nm之...
- 黄莉敏谢家纯梁锦
- 关键词：SIC光谱响应紫外探测器
- 文献传递
- ZnO紫外光电功能薄膜的研究
- 傅竹西林碧霞谢家纯刘磁辉廖桂红朱俊杰张扬
- 该项目首创了用Zn和SiC作过渡层的方法，基本解决了Si衬底和ZnO，薄膜间的晶格失配问题，生长出了高质量的ZnO单晶薄膜。同时采用Ag进行阳离子掺杂，基本生长出P型ZnO，同时还大大增强了紫外光的强度。
- 关键词：
- Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
- 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响。Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)／(204)等主衍射峰的位置和...
- 徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图
- 关键词：XRD
- 文献传递
- ZnO同质p-n结的研究
- ZnO是一种自激活宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,它的激子束缚能高达60meV,在制备蓝紫光和紫外光波段的发光二极管和激光二极管方面极具潜力。我们制备p-型和n-型ZnO薄膜采用的靶材分别是99.99%...
- 杨晓杰许小亮谢家纯徐传明徐军刘洪图
- 文献传递
- Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析被引量：3
- 2007年
- 采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200～400nm,在室温和一定反偏压下,响应峰值为313nm,半宽为65nm.同时测试分析了该器件的I-V特性,室温下,反向工作电压大于5V,反向击穿电压为70V.实验表明,此结构紫外探测器具有良好的紫外响应特性以及较低的反向漏电流和结电容.
- 何广宏谢家纯郭俊福李雪白钟声林碧霞傅竹西
- 关键词：宽禁带肖特基光谱响应紫外探测
