赵明文
- 作品数：18 被引量：31H指数：3
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：理学文化科学生物学电子电信更多>>
- 非迭代冻结密度近似方法在计算氢键相互作用的合理性研究被引量：3
- 2002年
- 为计算相互作用较弱的分子碎片之间的耦合能 ,Harris从密度泛函理论出发 ,提出了一种简化方法 ,即冻结密度近似 (FDA)方法 .对该方法在描述分子间氢键作用的合理性进行了验证 .对水分子间的HO┉H氢键、甲酰胺与水分子间的 NH┉O 氢键、二氟甲烷和水分子间的 OH┉F 氢键 ,以及DNA中的碱基 (AT ,GC )之间的N—H┉O ,N—H┉N等类型的氢键的计算表明 :若电子交换关联采用非定域自旋密度近似 ,FDA的计算结果同其他abinitio方法的计算结果以及实验结果都符合得很好 .FDA在计算过程中既不需要求解泊松方程 ,也不需要进行反复的自洽迭代 ,所以运算速度较快 。
- 赵明文夏曰源马玉臣刘向东英敏菊
- 关键词：相互作用氢键密度泛函分子生物学生物大分子
- 低维材料中的缺陷效应与电子态调控被引量：1
- 2021年
- 低维材料具有大的比表面积、独特的电子结构和优异性能,在新能源、信息等领域具有重要的应用前景.低维材料所具有的特殊电子态可以突破传统半导体材料的尺寸极限,是后摩尔时代重要的候选材料.如何有效地调控低维材料电子结构以满足特定功能的需要是实现这一应用的关键.本文从一维纳米管和二维层状材料中的"缺陷效应"出发,对我们课题组在低维材料电子结构调控方面的研究结果进行综述,揭示空位和吸附原子等点缺陷以及表面修饰和内部填充等对材料的电子结构、电子自旋极化和激发态特性的调控机制与规律,为低维材料在新型电子器件等领域的应用提供依据.
- 赵明文夏曰源梅良模
- 关键词：纳米管第一性原理计算
- 一种三氧化二钛纳米线的制备方法
- 本发明属于氧化物一维材料制备领域，涉及一种三氧化二钛纳米线的制备方法，包括：将三氧化二钛颗粒粉末在水中分散均匀，得到三氧化二钛分散液；向所述三氧化二钛分散液加入强碱，进行刻蚀，刻蚀完成后，进行固液分离，收集固体产物，洗涤...
- 李洋洋赵明文朱阳钰
- 新型碳材料结构设计和性能调控的理论模型
- 赵明文
- 初中英语课堂如何实行创新教育被引量：6
- 2011年
- 随着人类的进步,科学技术的发展,人们对教育的要求也不断提升。现代教育使人们认识了自我的价值,开发掌握自身的能力,人的主观能动性需要更大的发挥,创新教育越来越受到全民族的青睐。
- 赵明文
- 关键词：创新教育英语课堂现代教育主观能动性需要
- 谈初中英语课堂教学素质教育的培养
- 2011年
- 在新课改大环境要求下，更新教育思想，转变教育观念，全面实施素质教育，是时代赋予教育工作者的历史重任。学习方法是学生完成任务的手段和途径。“善学者师逸而功倍”，“不善学者师勤而功半”。在课堂教学中，教师的主要任务，就是利用适当的教法，最大限度地调动学生学习的主动性和积极性，引导他们通过自己的努力去学习新知识，养成语言技能的自学习惯，达到成功交际的水平。
- 赵明文
- 关键词：素质教育英语教育工作者教育思想
- 英语教学中的兴趣激发被引量：1
- 2011年
- 教育心理学告诉我们:中学生的学习动机往往呈现非明确状态,因而其学习兴趣就显示出波动性。这需要教育者不断地激发学生的学习兴趣,逐步使其学习动机趋于明确和稳定。爱因斯坦说:"兴趣是最好的老师"。
- 赵明文
- 关键词：需要教育波动性被教育者激趣简笔画语言学科
- 纳米CaF_2离子电导率和介电常数的静水压效应被引量：1
- 1995年
- 用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了具有清洁界面的平均粒度14nm的纳米固体CaF_2,并在0.0001—2.2GPa范围52个不同的静水压下分别详细测量出其离子电导率σ和相对介电常数随压力变化的规律。讨论指出:1)离子迁移通道受压后的变化(大于、等于或小于最佳值)是影响离子电导率-压力曲线峰值的主要因素;2)当压力从0.66GPa再增加时lgσ分三段线性下降,可归因于纳米晶材料的三种自由体积;3)界面层空间电荷极化是造成纳米CaF_2相对介电常数较大的原因,由此可理解介电常数的压力效应。为了提高产品的氟离子电导率,真空原位加压制备纳米材料时应当采用更高的压力,0.66GPa。
- 苏昉谢斌赵明文吴希俊
- 关键词：纳米级氟离子电导率介电常数
- 材料微观设计和分析中的碰撞反应动力学方法
- 夏曰源刘向东赵明文梅良模马玉臣
- 研究的内容包括两大方面，第一是采用原子、分子碰撞反应动力学研究碳纳米管和富勒烯。采用分子动力学模拟结合量子力学第一原理计算对以下问题进行了系统的研究：1、碳纳米管的自组装生长机理、缺陷形成和结构；2、富勒烯碰撞聚合和裂解...
- 关键词：
- 低维体系中的缺陷效应及其调控机理研究
- <正>'缺陷效应'是半导体物理和器件中的基础问题。由于低维半导体材料独特的结构和特殊的量子尺寸效应,缺陷对其电子结构的调控呈现出与传统的三维材料完全不同的规律,在纳米电子器件和新能源等领域具有广泛的应用前景。本报告将以'...
- 赵明文
- 文献传递
