郭文勇
- 作品数：113 被引量：243H指数：10
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 超导储能用电流调节器充放电数学模型及其控制系统被引量：14
- 2007年
- 电压型超导储能系统由电压源换流器和斩波器构成。电压源换流器负责与系统进行有功和无功的交换,而斩波器则用来实现对超导磁体的充放电,以满足系统有功功率的要求。中科院电工所提出了一个带隔离变压器的双向DC/DC形式的电流调节器,实现了斩波器的功能。本文用状态空间平均法建立了电流调节器的充放电小信号数学模型,并在此基础上分别设计了电流调节器的充放电控制器,其中充电控制器采用滞环+PI调节的方式。针对放电控制,设计了两种三环控制器,并对其进行了分析比较。实验结果证明了该控制器控制性能的有效性。
- 郭文勇赵彩宏肖立业
- 关键词：状态空间平均法电流调节器超导储能功率调节系统
- 一种不对称式电流调节器及其控制方法
- 一种用于超导磁体充放电的电流调节器，由电压单元[U<Sub>V</Sub>]、变压器单元[U<Sub>T</Sub>]与电流单元[U<Sub>I</Sub>]组成。电压单元[U<Sub>V</Sub>]为多个直流侧为电容...
- 赵彩宏郭文勇肖立业林良真余运佳
- 文献传递
- 一种飞轮储能用混合式超导磁轴承
- 一种飞轮储能用混合式超导磁轴承，由不锈钢主轴(1)、径向电磁轴承定子(2)、低温杜瓦(3)、超导轴承永磁转子(4)、超导轴承块体定子(5)、超导轴承线圈定子(6)、超导轴承铁磁吸力盘转子(7)、飞轮(8)、径向电磁轴承铁...
- 邱清泉王新文李万杰张国民宋乃浩郭文勇艾立旺
- 文献传递
- 一种高温超导熔断器
- 一种高温超导熔断器，其中的YBCO带材(1)、重锤(2)、边框(3)、铜母排(4)、铜压块(5)与螺栓(6)构成高温超导熔断器主体(7)；铜母排(4)与边框(3)通过螺栓(6)组成固定YBCO带材的窗口；YBCO带材(1...
- 张京业戴少涛邱清泉郭文勇张东马韬王子凯林良真肖立业
- 一种短路故障限流器
- 一种短路故障限流器，采用了三相共享一个限流电阻的结构，通过隔离变压器的漏感或者隔离变压器的漏感与限流电感相结合的方式来限制故障电流的上升速率，并在检测的电网过流时，通过开关动作将故障线路串入共享的限流电阻，从而达到限制故...
- 郭文勇肖立业戴少涛张志丰
- 用于超导储能系统的多电平电流调节器被引量：2
- 2007年
- 电压型超导储能系统中的直流变换器用于实现对超导磁体的快速充放电。传统的直流变换器存在软开关难以实现、直流母线电压难以平衡的问题。为解决这一问题,提出一种用于超导储能的多电平电流调节器,它实现了高频变压器原边器件的零电压开关和副边器件的零电流开关,并能实现电压侧各直流母线电压的自动平衡。采用改变晶闸管移相角,进而控制超导磁体上的平均电压大小的方法来调节超导磁体充放电功率。在实现方法上,采用了基于数字信号处理器(DSP)和复杂可编程逻辑器件(CPLD)的综合控制方法。实验结果证明了这种多电平电流调节器的良好性能。
- 郭文勇赵彩宏张志丰肖立业欧阳弈
- 关键词：超导储能功率调节系统
- 一种用于超导磁体充放电电流调节器的控制方法
- 一种用于超导磁体充放电电流调节器的控制方法。电压单元[U<Sub>V</Sub>]采用双极性控制方式，在充放电过程中，保持电压单元[U<Sub>V</Sub>]开关[S5]、[S6]、[S7]、[S8]相位不变，通过电压...
- 赵彩宏李顺郭文勇肖立业林良真余运佳
- 文献传递
- 一种阻抗投切装置
- 一种阻抗投切装置。本发明在旁路状态下，对连接的电路呈现一种几乎无阻的通路，对电路不产生影响，而在电路需要改变阻抗时，可以将所需的阻抗安全可靠地向该电路进行投切，以改变该电路的阻抗。本发明主要运用于电网潮流控制和故障限流。
- 郭文勇肖立业戴少涛张志丰
- 文献传递
- 1200 V碳化硅功率MOSFET低温特性的实验表征及分析被引量：1
- 2020年
- 碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。
- 赵闯郭文勇蔡洋田晨雨靖立伟高春杰冯忠奎
- 关键词：MOSFET
- 一种故障限流装置
- 一种故障限流装置，其特征是利用双态断路器、压敏电阻、超导限流单元和限流电抗器组成的组合电路进行限流。双态断路器内含有两个常闭触点、两个常开触点和接触器；接触器在传动机构的作用下，分别连接两个常闭触点或两个常开触点；通过双...
- 郭文勇吴明建戴少涛肖立业张京业徐小飞施飞邱清泉张志丰朱志芹马韬
- 文献传递
