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金蒙

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划上海市青年科技启明星计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 2篇移动终端
  • 2篇终端
  • 2篇USB
  • 2篇串口扩展
  • 1篇电路
  • 1篇移动通信
  • 1篇矢量
  • 1篇矢量图
  • 1篇矢量图形
  • 1篇数字图像
  • 1篇通信
  • 1篇通用串行总线
  • 1篇图像
  • 1篇嵌入式
  • 1篇嵌入式设备
  • 1篇总线
  • 1篇晶体管
  • 1篇扩展串口
  • 1篇基于移动终端
  • 1篇集成电路

机构

  • 4篇华东师范大学
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 4篇金蒙
  • 2篇王立胜
  • 1篇王成道
  • 1篇朱骏
  • 1篇胡少坚
  • 1篇任铮
  • 1篇石艳玲
  • 1篇赵宇航
  • 1篇陈寿面

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇仪表技术
  • 1篇微计算机信息

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
嵌入式设备串口扩展的两种解决方案被引量:3
2005年
嵌入式系统中串行通信的使用十分广泛。可是嵌入式主机的串口数量却十分有限。这在需要集成多个串口设备的场合显得十分掣肘。本文给出了嵌入式主机串口扩展的两种方法,希望能够最大程度地解决串口不足的问题。本文的两种方法均已实现,并使用在我们开发的GIS系统中。
金蒙王立胜
关键词:RS232UARTUSB
USB扩展串口方案在移动终端功能扩展中的应用
2005年
介绍USB的特点,提出用USB进行串口扩展的方案,描述了该方案的优越性,并同传统串口扩展方案进行了比较,体现了USB方案的大好前景。
王立胜金蒙王成道
关键词:通用串行总线串口扩展
高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量:1
2006年
针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.
任铮石艳玲胡少坚金蒙朱骏陈寿面赵宇航
关键词:BSIM3模型SPICEHVMOS晶体管
基于移动终端信息服务系统设计中的几个关键技术
移动通信技术的发展使得人类的生活变得更加方便和快捷。人们不仅能够利用移动通信进行语音通信,还能够使用各种各样的信息服务。现代的移动通信技术与Internet、全球定位系统、多媒体技术、数据库技术相结合,即可形成一整套的信...
金蒙
关键词:移动终端数字图像矢量图形移动通信
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