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陆晶晶

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇激光
  • 6篇衬底
  • 4篇红外
  • 3篇电极
  • 3篇同质结
  • 3篇微电子
  • 3篇硫化
  • 3篇硫化钼
  • 3篇金属
  • 3篇半导体
  • 2篇导体
  • 2篇电池
  • 2篇电子器件
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层太阳能电...
  • 2篇钝化层
  • 2篇旋涂
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结材料
  • 2篇栅电极

机构

  • 17篇华中科技大学

作者

  • 17篇陆晶晶
  • 14篇曾祥斌
  • 12篇王文照
  • 2篇赵伯芳
  • 2篇胡作启
  • 2篇吴成
  • 2篇曾瑜
  • 2篇王慧娟
  • 2篇宋志成

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法
本发明公开了一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，包括：硅衬底，其上的介质层上表面制备有横向连接的P型掺杂硫化钼薄膜和N型掺杂硫化钼薄膜；P型薄膜由N型经等离子体掺杂而成；沉积在两薄膜上表面...
曾祥斌周宇飞胡一说王文照陆晶晶王士博王君豪王曦雅肖永红陈铎张茂发
一种IV-VI族半导体薄膜及其制备方法
本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘...
曾祥斌肖永红胡一说陆晶晶王文照王士博周宇飞王君豪王曦雅张茂发陈铎
文献传递
一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法
本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的...
曾祥斌王君豪胡一说王文照陆晶晶王曦雅周宇飞王士博肖永红陈铎张茂发
一种异质结材料及其应用
本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬...
曾祥斌王曦雅胡一说王文照陆晶晶王君豪肖永红周宇飞王士博陈铎张茂发
文献传递
一种IV-VI族半导体薄膜及其制备方法
本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘...
曾祥斌肖永红胡一说陆晶晶王文照王士博周宇飞王君豪王曦雅张茂发陈铎
一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法
本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的...
曾祥斌王君豪胡一说王文照陆晶晶王曦雅周宇飞王士博肖永红陈铎张茂发
文献传递
一种异质结材料及其应用
本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬...
曾祥斌王曦雅胡一说王文照陆晶晶王君豪肖永红周宇飞王士博陈铎张茂发
基于MoS<Sub>2</Sub>的同质结结型场效应管及其制备方法
本发明提供了一种基于MoS<Sub>2</Sub>的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS<Sub>2</Sub>的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；...
曾祥斌鲁基昌王文照陆晶晶王士博胡一说肖永红王君豪周宇飞袁俊茹王曦雅
文献传递
一种水平同质结双极性晶体管及其制备方法
本发明公开了一种水平同质结双极性晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，包括：P型掺杂单晶硅、SiO<Sub>2</Sub>氧化层、N型MoS<Sub>2</Sub>薄膜、P型MoS<Sub>2</Sub>薄膜和电极层；...
曾祥斌王士博王文照胡一说陆晶晶肖永红周宇飞王曦雅王君豪陈铎许庭玮
文献传递
一种自动化磁电系数测试系统
本发明属于材料性能测试领域，并公开了一种自动化磁电系数测试系统。该测试系统包括：计算机、直流偏置磁场发生模块、交流磁场发生模块、信号检测模块和样品夹持模块，待测样品放置在样品夹持模块中，被置于交流磁场发生模块的亥姆霍兹线...
陆晶晶吴成胡作启游时林
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