陈去非
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：浙江大学信息与电子工程学系功率器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种高频高压双极性功率器件的研究
- 1994年
- 针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，本文基于Ｋｏｎｄｏ提出的ＧＡＴ结构，利用刻槽淀积Ｐ＋多晶硅基区的新工艺，研制了一种高频高压双极性功率器件，并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究，实验获得了预期的效果。
- 陈去非陈珂陈启秀
- 关键词：双极晶体管功率晶体管
- 低电压安全电子节能照明装置
- 一种低电压安全电子节能灯，是由灯头、灯罩、灯座、荧光灯管和新颖的高频电子镇流器组成。高频电子镇流器具有二倍压整流器或三倍压整流器(6)、双磁环耦合的双晶体管高频振器(7)以及二极管输出电路(8)。在20～40V低电压、工...
- 黄树新陈启秀李贡社吴文陈福元陈去非陈忠景林书樾余滨章婉珍
- 文献传递
- 一种新型的双极功率器件—BST
- 1995年
- 针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，基于一新工艺提出了一种新型的双极功率器件──ＢＳＴ（ＢａｓｅＳｈｉｅｌｄｉｎｇＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）结构。分析了ＢＳＴ夹断后的两维电场解析解，可知深Ｐ＋多晶硅基区的引入对有源Ｐ基区产生明显的电场屏蔽效应，该基区屏蔽效应随Ｐ＋基区深入Ｎ－区中的深度Ｌ的增加以及相邻Ｐ＋基区间距２Ｄ的减小而增强。正是这种基区屏蔽效应，使得ＢＳＴ的特征频率ｆＴ、电流增益ｈｆｅ和ＣＥ击穿电压ＢＶｃｅ０都较常规ＢＰＴ大为提高，较好地解决了常规ＢＰＴ中存在的主要矛盾。实验验证了理论分析的结果。
- 陈去非陈珂陈启秀
- 关键词：双极晶体管功率晶体管泊松方程物理模型
- 大面积VDMOSFET的设计与工艺研究被引量：1
- 1992年
- 本文简述了VDMOSFET的结构设计方法和工艺制造过程,针对VDMOSFET大面积化所存在的工艺问题,对大面积无缺陷、无沾污工艺进行了研究,通过采用氯化氢干氧氧化和双层介质栅成功地解决了大面积栅穿问题,采用多层复合介质解决了绝缘介质中的缺陷和台阶覆盖造成栅源穿通的问题,将氢氧合成氧化和SIPOS工艺运用于VDMOSFEF制造工艺中,成功地研制开发了50～500V,1～50AVDMOSFET,使器件芯片面积达到6×6mm^2,集成元胞24635个。
- 陈去非陈启秀
- 关键词：VDMOSFET
- IGBT的静态解析模型及其高压终端设计之研究
- 陈去非
- 一种具有自保护功能的MOS型电子镇流器
- 1992年
- 电子镇流器和工频电感镇流器相比,具有节电显著、发光效率高、无频闪、无噪声、重量轻、体积小等优点。而功率MOS 器件和功率双极晶体管相比,由于其具有微功耗驱动、开关速度快、工作频率高。
- 陈去非陈启秀
- 关键词：镇流器电子镇流器
- 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的研究
- 陈去非
- 关键词：功率半导体器件双极晶体管晶闸管
- 三重扩散型IGBT的计算机模拟分析被引量：1
- 1995年
- 本文根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种适合我国国情的制作ＩＧＢＴ的工艺方法─—三重扩散法，着重用器件模拟的方法，从理论上分析了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优势和切实可行性，并用实验的结果验证了其正确性．
- 李如春陈去非陈启秀
- 关键词：IGBT双极晶体管计算机模拟
- 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的研究--静态、动态和终端模型及优化设计
- 陈去非
- 生产IGBT的一种工艺──三重扩散被引量：1
- 1996年
- 根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果验证其正确性。
- 李如春陈去非陈启秀
- 关键词：IGBT绝缘栅双极晶体管
