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陈新义

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：上海交通大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 5篇电子迁移率
  • 5篇迁移率
  • 4篇磷烷
  • 4篇纳米硅
  • 4篇纳米硅薄膜
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇高电子迁移率
  • 2篇等离子体增强
  • 2篇等离子体增强...
  • 2篇等离子增强化...
  • 2篇电子浓度
  • 2篇射频溅射
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格结构
  • 2篇溅射
  • 2篇半导体
  • 1篇输运
  • 1篇输运现象

机构

  • 5篇上海交通大学

作者

  • 5篇陈新义
  • 4篇沈文忠
  • 4篇陈红
  • 2篇丁古巧

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
氢化纳米硅薄膜的制备方法
一种半导体材料领域的氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄...
沈文忠陈新义丁古巧陈红何宇亮
文献传递
运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法
一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一...
沈文忠陈新义陈红
文献传递
硅量子点结构中的高电子迁移率和量子输运现象
本文主要是利用深低温强磁场条件下的变磁场霍耳效应和多载流子输运理论分析—迁移率谱分析技术，研究了硅量子点结构、硅量子点薄膜/单晶硅异质结体系中电子在磁场下的输运性质。通常，由于表面缺陷态和自然氧化层中的电荷，高阻单晶硅的...
陈新义
关键词：高电子迁移率量子输运
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高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法
一种半导体材料领域的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的...
沈文忠陈新义丁古巧陈红何宇亮
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运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法
一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一...
沈文忠陈新义陈红
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