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韩汝琦

作品数：160 被引量：132H指数：6
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 82篇专利
  • 55篇期刊文章
  • 18篇会议论文
  • 4篇科技成果

领域

  • 67篇电子电信
  • 9篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇历史地理

主题

  • 47篇半导体
  • 44篇晶体管
  • 35篇电路
  • 27篇存储器
  • 26篇集成电路
  • 20篇MOS晶体管
  • 19篇掺杂
  • 15篇衬底
  • 14篇自对准
  • 14篇肖特基
  • 13篇电极
  • 13篇半导体集成
  • 13篇半导体集成电...
  • 13篇半导体器件
  • 11篇双栅
  • 11篇沟道
  • 10篇导体
  • 10篇电阻
  • 9篇栅介质
  • 8篇势垒

机构

  • 158篇北京大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇东北大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 159篇韩汝琦
  • 72篇康晋锋
  • 48篇张盛东
  • 39篇刘力锋
  • 30篇孙雷
  • 27篇王漪
  • 26篇陈文新
  • 26篇王阳元
  • 23篇张兴
  • 22篇杜刚
  • 21篇高滨
  • 20篇李定宇
  • 17篇陈沅沙
  • 16篇黄如
  • 15篇韩德栋
  • 14篇陈冰
  • 12篇关旭东
  • 10篇张飞飞
  • 9篇刘恩峰
  • 8篇孙兵

传媒

  • 23篇Journa...
  • 6篇北京大学学报...
  • 6篇固体电子学研...
  • 5篇物理学报
  • 5篇第十二届全国...
  • 4篇电子学报
  • 3篇光电子技术
  • 3篇第二届全国纳...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇物理
  • 1篇大学物理
  • 1篇计算物理
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇国际学术动态
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇2008中国...
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 10篇2012
  • 10篇2011
  • 5篇2010
  • 10篇2009
  • 19篇2008
  • 16篇2007
  • 10篇2006
  • 11篇2005
  • 6篇2004
  • 10篇2003
  • 8篇2002
  • 12篇2001
  • 5篇2000
  • 4篇1998
  • 3篇1997
  • 3篇1996
  • 4篇1995
共 160 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种不对称肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法
本发明提供了一种常规源端抬高漏端的肖特基势垒源漏MOS晶体管及其制作方法。所述MOS晶体管的源漏具有不对称结构，选择两种不同的金属材料，通过两次金属硅化反应，控制反应时间，可以获得高度不同的肖特基势垒源漏。通过选择不同的...
孙雷李定宇张盛东吴涛韩汝琦刘晓彦
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一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其制作方法
本发明提供了一种自对准的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管结构。该MOS器件有一个薄的沟道区和厚的源漏区。沟道区位于绝缘衬底的隐埋介质层的表面，源漏区位于沟道区两端并下陷于隐埋介质层中。这样，源漏区为低阻硅化物的生成提...
张盛东陈文新张志宽黄如韩汝琦
文献传递
一种MOS晶体管及其制作方法
本发明提供了一种新结构的MOS晶体管，其特征在于所述MOS晶体管具有不对称的源漏结构，源端采用金属或金属和半导体形成的化合物与沟道形成肖特基接触，漏端采用抬高的高掺杂漏。本发明的MOS晶体管的源漏寄生电阻比传统的MOSF...
孙雷李定宇张盛东吴涛韩汝琦刘晓彦
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一种氧化物电阻存储器件及其制备方法
本发明公开了一种氧化物电阻存储器件，包括衬底，位于所述衬底上的底电极，位于所述底电极上的氧化物控制层，位于所述氧化物控制层上的氧化物阻变层，以及位于所述氧化物阻变层上的顶电极。该器件制备工艺简单、性能可靠，提高了氧化物阻...
刘力锋高滨陈冰张飞飞李博洋于迪陈沅沙康晋锋韩汝琦
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Al_2O_3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制被引量：7
2003年
利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P Si(10 0 )衬底上制备了Al2 O3 栅介质层 ,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2 O3 栅介质层物理特性的影响 .结果表明 :在较高温度下N2 气氛中退火有助于减小泄漏电流 ;在O2 气氛中退火有助于减少Al2 O3 栅介质中的氧空位缺陷 .对Al2 O3 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起 ,而在电子由栅注入的情况下 ,泄漏电流可能由Schot tky发射和Frenkel Poole发射两种机制共同引起 .
任驰杨红韩德栋康晋锋刘晓彦韩汝琦
一种半导体器件模型自适应参数提取方法
本发明公开了一种不依赖于具体的半导体器件模型的自适应参数提取方法，这种方法的输入文件中不仅包含器件测试数据和提取流程控制代码，而且将待提取的模型公式整理为C语言子函数代码，结合待提取的模型参数列表形成一个输入文件，然后按...
韩汝琦吴涛杜刚刘晓彦
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一种准双栅MOS晶体管及其制备方法
本发明提供一种准双栅MOS晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路制造技术领域。该准双栅MOS晶体管的特征在于，包括一在半导体衬底之上的埋置绝缘层，所述埋置绝缘层呈凹形结构；半导体源区和漏区分别嵌入所述凹形结构埋置绝缘层的...
张盛东李定宇陈文新韩汝琦
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50nm肖特基隧穿晶体管（SBTT）特性模拟
本文利用自主开发的蒙特卡洛器件模拟软件,对沟长为50nm的肖特基隧穿晶体管（SBTT）的输出特性和转移特性进行了模拟,得到了明显的开关态电流比。并讨论了肖特基势垒高度和沟道区掺杂浓度对器件特性的影响。
杜刚刘晓彦孙雷韩汝琦
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一种能够实现多进制加法计算的阻变器件及多进制加法计算的方法
一种能够实现多进制加法计算的阻变器件，以及利用阻变器件实现多进制加法计算的方法，所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值，每个阻值对应于一存储值，通过连续施加具有相同宽度和高度的set脉冲电压使阻变器件的存储值顺序加1...
康晋锋张飞飞高滨陈冰陈沅沙刘力锋刘晓彦韩汝琦
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一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺
本发明涉及微电子半导体技术领域，公开了一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺。通过在阻变存储器的底电极上连续淀积三层金属薄膜形成合金层，然后形成阻变层的工艺方法，实现了对阻变层中细丝导电通道产生的有效控制，从而改...
康晋锋高滨余诗孟刘力锋孙兵刘晓彦韩汝琦
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