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魏群

作品数:8 被引量:10H指数:2
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金深圳市功能高分子重点实验室开放基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电子结构
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇噪声
  • 2篇特性分析
  • 2篇热噪声
  • 2篇子结构
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇晶体管
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体场效应...
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇噪声特性
  • 1篇噪声特性分析
  • 1篇散粒噪声

机构

  • 8篇西安电子科技...
  • 3篇宝鸡文理学院
  • 1篇安徽理工大学
  • 1篇安康学院
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇深圳大学
  • 1篇西北大学
  • 1篇宜宾学院
  • 1篇西南电子技术...

作者

  • 8篇魏群
  • 2篇贾晓菲
  • 2篇闫海燕
  • 1篇郭平
  • 1篇王晓艳
  • 1篇马建立
  • 1篇张文鹏
  • 1篇常少梅
  • 1篇王冠宇
  • 1篇张美光
  • 1篇宋申华
  • 1篇张培新
  • 1篇宋建军
  • 1篇陈文豪
  • 1篇张鹤鸣
  • 1篇黄多辉
  • 1篇徐小波
  • 1篇张冬云
  • 1篇黄磊
  • 1篇惠文彬

传媒

  • 2篇Transa...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理学报
  • 1篇高压物理学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇西安文理学院...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
Elastic and thermodynamic properties of Re_2N at high pressure and high temperature被引量:1
2013年
First principles calculations are preformed to systematically investigate the elastic and thermodynamic properties of Re2N at high pressure and high temperature. The Re2N exhibits a clear elastic anisotropy and the elastic constants C11 and C33 vary rapidly in comparison with the variations in C12, C13 and C44 at high pressure. In addition, bulk modulus B, elastic modulus E, and shear modulus Gas a function of crystal orientations for Re2N are also investigated for the first time. The tensile directional dependences of the elastic modulus obey the following trend: [0001] [1211] [1010] [1011]EEEE〉〉〉 . The shear moduli of Re2N within the (0001) basal plane are the smallest and greatly reduce the resistance of against large shear deformations. Based on the quasi-harmonic Debye model, the dependences of Debye temperature, Grüneisen parameter, heat capacity and thermal expansion coefficient on the temperature and pressure are explored in the whole pressure range from 0 to 50 GPa and temperature range from 0 to 1600 K.
张美光闫海燕魏群黄多辉
体硅价带结构的MATLAB计算
2023年
能带结构在固体物理/半导体物理的教学及相关科研活动中占有重要地位.本文从理论上推导了体硅的价带E~k色散关系模型,利用MATLAB语言编程绘制了体硅价带E~k色散关系图及等能面图,通过对价带顶处色散曲线进行抛物线拟合,获得了体硅各晶向空穴有效质量,所得有效质量结果与其他理论计算及实验测量结果符合较好.
付志粉马建立魏群
关键词:体硅MATLAB
Nb掺杂LiFePO_4电子结构的第一性原理研究被引量:5
2013年
采用基于DFT的第一性原理方法,研究Nb掺杂LiFePO4锂离子电池正极材料的电子结构,并进行能带结构、电子态密度、布居和差分电荷密度性质等分析。结果表明:Nb掺杂后体系结构稳定,带隙降低,由于Nbd轨道电子的作用,使费米面附近能带数增加,更有利于电子传递,使电子电导率增加,充放电速率提高;Li-O键键长明显变大,有利于Li离子的扩散。虽然掺杂量大,带隙下降多,但会影响Li离子的扩散,尤其是在Li位掺杂时。综合考虑掺杂量不需要太大。
张培新张冬云黄磊惠文彬魏群宋申华
关键词:LIFEPO4掺杂态密度
10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析
2023年
随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且其模型未考虑到沟道饱和区.本文针对小尺寸纳米级MOSFET器件,并根据器件结构特征和热噪声的基本特性,建立了10 nm器件的热噪声模型,该模型体现沟道区、衬底区及栅、源、漏区,同时考虑到沟道饱和区的热噪声.在模型的基础上,分析沟道热噪声、总热噪声随偏置参量及器件参数之间的关系,验证了沟道饱和区热噪声的存在,并与已有实验结果一致,所得结论有助于提高纳米级小尺寸MOSFET器件的工作效率、寿命及响应速度等.
贾晓菲魏群张文鹏何亮武振华
关键词:热噪声纳米MOSFET短沟道效应
20 nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析
2022年
传统短沟道的纳米MOSFET噪声主要为受抑制的散粒噪声,其次为热噪声;在建立器件的噪声模型时,并没有考虑栅极噪声源与源极噪声源二者之间的电荷耦合,其耦合效应会形成互相关噪声。实验测试了20 nm MOSFET的噪声,结果分析得到短沟道MOSFET的噪声主要为散粒噪声、热噪声和互相关噪声。其次,根据MOSFET的器件物理结构及特性推导了纳米MOSFET的互相关噪声公式。在此基础上,比较受抑制的散粒噪声、热噪声和互相关噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化关系,所得结论有助于提高MOSFET器件的工作效率、可靠性及寿命。
贾晓菲贾晓菲魏群丁兵陈文豪
关键词:MOSFET热噪声
A first-principle calculation of structural,mechanical and electronic properties of titanium borides被引量:3
2011年
The first-principle calculations are performed to investigate the structural,mechanical and electronic properties of titanium borides (Ti2B,TiB and TiB2).Those calculated lattice parameters are in good agreement with the experimental data and previous theoretical values.All these borides are found to be mechanically stable at ambient pressure.Compared with parent metal Ti (120 GPa),the larger bulk modulus of these borides increase successively with the increase of the boron content in three borides,which may be due to direction bonding introduced by the boron atoms in the lattice and the strong covalent Ti-B bonds.Additionally,TiB can be regarded as a candidate of incompressible and hard material besides TiB2.Furthermore,the elastic anisotropy and Debye temperatures are also discussed by investigating the elastic constants and moduli.Electronic density of states and atomic Mulliken charges analysis show that chemical bonding in these titanium borides is a complex mixture of covalent,ionic,and metallic characters.
闫海燕魏群常少梅郭平
单轴应力锗能带结构研究被引量:1
2012年
用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.
马建立张鹤鸣宋建军魏群王晓艳王冠宇徐小波
K_(2)N_(2)中一维氮链的压力诱导聚合
2024年
采用先进的粒子群晶体结构搜索方法对K2N2在0~150 GPa压强范围内进行晶体结构预测,结果表明,K_(2)N_(2)的基态稳定相为单斜C2/m结构,且在1.7、3.6和122 GPa压强下的结构分别为Na_(2)N_(2)型、Cmmm、C2/c。体积随压强的变化关系显示C2/m→Na_(2)N_(2)型、Na_(2)N_(2)型→Cmmm和Cmmm→C2/c这3个相变均为一级相变,对应的体积坍塌分别为14.4%、22.5%和4.0%。在K_(2)N_(2)高压相变过程中,K原子的配位数从5增加到10,并伴随着N-N成键性质的变化,即从基态C2/m结构中的准分子N=N双键聚合为高压C2/c相中的N―N单键链。C2/m、Na_(2)N_(2)型、Cmmm相表现出金属性,而高压C2/c相表现出半导体(带隙为2.0 eV)性质。电子结构计算和电子局域函数分析表明,K_(2)N_(2)的高压结构相变来源于高压下K-p孤对电子的激活及其与N原子的成键。
陈磊张云陈雨轩魏群张美光
关键词:结构相变电子结构
共1页<1>
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