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刘伦友

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

主题

  • 3篇电路
  • 2篇电路单元
  • 2篇窄脉冲
  • 2篇同相
  • 2篇脉冲
  • 2篇恒流
  • 2篇恒流源
  • 2篇反相器
  • 2篇BCD
  • 1篇优化设计
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇误差分析
  • 1篇结构参数
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机仿真
  • 1篇功率集成
  • 1篇功率集成电路

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇周贤达
  • 5篇张弦
  • 5篇张波
  • 5篇方健
  • 5篇刘伦友
  • 5篇刘哲
  • 2篇乔明

传媒

  • 3篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
窄脉冲下拉电流式电平位移电路
本发明属于电子技术领域，涉及集成化电平位移电路。主要由输入缓冲1、恒流源开关A和B、脉冲自产生A和B、栅极下拉6和反相器7共七个电路单元构成。低逻辑信号IN通过输入缓冲1产生同相和反相的两个控制信号S1和S2，用以控制恒...
方健乔明张波周贤达刘伦友刘哲毛焜张弦
文献传递
功率集成电路中抗串扰新隔离结构
提出一种VDMOS与低压控制电路之间抗串扰的新隔离结构。通过二维器件仿真软件MEDICI验证,能够有效防止VDMOS漏极反偏造戍的衬底电流进入CMOS电路,CMOS电路中出现闩锁效应时的VDMOS漏端电压从-1V提高到-...
刘哲方健周贤达刘伦友毛焜张弦张正元冯志诚张波
关键词：功率集成电路闩锁效应
BCD器件参数提取
针对70V BCD工艺中核心器件的特殊性，采用Matlab进行了器件参数提取。在Tsuprem4和Medici的仿真基础之上，以HVPMOS为例，阐述了高压器件的参数提取过程，并将所得参数带入电路进行仿真比较,，得到了很...
张弦方健周贤达刘伦友毛焜刘哲张正元冯志诚张波
关键词：计算机仿真误差分析
窄脉冲下拉电流式电平位移电路
本发明属于电子技术领域，涉及集成化电平位移电路。主要由输入缓冲1、恒流源开关A和B、脉冲自产生A和B、栅极下拉6和反相器7共七个电路单元构成。低逻辑信号IN通过输入缓冲1产生同相和反相的两个控制信号S1和S2，用以控制恒...
方健乔明张波周贤达刘伦友刘哲毛焜张弦
文献传递
70V BCD(VDMOS)器件及工艺设计
设计了—套比较成熟的高功率BCD器件及工艺，它集成了70V高压VDMOS、Bipolar、CMOS以及各种二极管、电阻、电容等器件，与以往的BCD工艺相比较具有高功率，集成器件多，器件性能更加稳定，兼容性更好的特点，适合...
毛焜方健周贤达刘伦友张弦刘哲张正元冯志诚张波
关键词：优化设计结构参数
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