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刘俊岐

作品数:148 被引量:35H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 107篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 16篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 69篇电子电信
  • 6篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 103篇激光
  • 101篇激光器
  • 92篇量子级联
  • 73篇量子级联激光...
  • 48篇波导
  • 34篇量子
  • 21篇红外
  • 21篇半导体
  • 20篇欧姆接触
  • 18篇光栅
  • 17篇太赫兹
  • 17篇赫兹
  • 16篇电极
  • 13篇太赫兹量子级...
  • 13篇发散角
  • 13篇半导体激光
  • 13篇半导体激光器
  • 12篇衬底
  • 11篇探测器
  • 10篇分子束

机构

  • 148篇中国科学院
  • 7篇中国科学院大...
  • 2篇北京量子信息...
  • 1篇清华大学
  • 1篇西南大学
  • 1篇台湾大学

作者

  • 148篇刘俊岐
  • 143篇刘峰奇
  • 101篇王利军
  • 96篇王占国
  • 87篇张锦川
  • 56篇翟慎强
  • 54篇卓宁
  • 48篇刘舒曼
  • 31篇李路
  • 29篇梁平
  • 25篇胡颖
  • 15篇王涛
  • 13篇郭瑜
  • 12篇闫方亮
  • 11篇张伟
  • 11篇陆全勇
  • 8篇贾志伟
  • 7篇路秀真
  • 7篇李媛媛
  • 7篇邵烨

传媒

  • 8篇Journa...
  • 4篇光子学报
  • 3篇第10届全国...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 2篇第二届全国太...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 7篇2024
  • 7篇2023
  • 14篇2022
  • 9篇2021
  • 7篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
  • 9篇2015
  • 8篇2014
  • 7篇2013
  • 14篇2012
  • 7篇2011
  • 7篇2010
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 6篇2007
  • 5篇2006
  • 6篇2005
148 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括:氢溴酸和硝酸及水的混合溶液,该混合溶液的重量份为:氢溴酸:1-2;硝酸:1-2;水:10-20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤:步骤1:取一多孔磷化铟材料;...
车晓玲刘峰奇黄秀颀雷文刘俊岐路秀真
文献传递
带间级联激光器阵列芯片及其制备方法
本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片,可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括:衬底;位于衬底上的N个激光器阵列单元,其中,N为大于等于3的正整数,至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距...
孙瑞轩刘舒曼张锦川卓宁王利军刘俊岐翟慎强程凤敏刘峰奇
光栅分布反馈量子级联激光器
本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括:衬底;以及在该衬底上依次生长的下波导层,下光限制层,有源区,上光限制层,等效相移光栅,上波导层;其中,在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅,...
张锦川刘峰奇卓宁王利军刘俊岐王占国
文献传递
垂直发射量子级联激光器结构
本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构,包括:一衬底,在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层;金属光栅层,该金属光栅层位于接触层的上面,并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。
郭万红刘俊岐陆全勇张伟江宇超李路王利军刘峰奇王占国
单模太赫兹量子级联激光器
2015年
为了获得窄线宽太赫兹光源,制作了基于表面金属光栅的单模太赫兹量子级联激光器。通过优化光栅结构,获得了具有较强耦合效率和较低损耗的光栅结构参数。波导结构采用半绝缘表面等离子体波导以便能获得较高的光输出功率。激光器单模激射波长为95μm。10 K时,器件最高单模输出功率达到了43 m W,单模抑制比为18 d B。单模器件工作温度超过70 K,在70 K时,仍然有5 m W的单模输出功率。这种输出性能良好的激光器有望作为太赫兹接收机的本振源。
刘俊岐王涛刘峰奇
关键词:太赫兹量子级联激光器单模本振源
量子级联探测器结构
一种量子级联探测器结构,包括:一衬底;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层制作在衬底上,该下欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触;一势垒隔离层,该势垒隔离层制作在下欧姆接触层上的中间部位,使下欧姆接触层的四周形...
孔宁刘俊岐李路刘峰奇王利军王占国
用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法
一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法,包括如下步骤:步骤1:取一半导体芯片;步骤2:取一半导体衬片;步骤3:用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接,形成基片;步骤4:将基片进行甩胶处理;步骤5:将基片置于光刻机上,对基片...
梁平胡颖刘俊岐刘峰奇王利军张锦川王涛姚丹阳王占国
文献传递
MOCVD生长的瓦级中波红外高功率量子级联激光器被引量:1
2022年
基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术实现了室温连续(CW)输出功率达到瓦级的中波红外量子级联激光器(QCL)。通过MOCVD生长条件优化,实现了高界面质量双声子共振结构材料生长,制备出室温CW功率最高为1.21 W的4.6μm QCL。具体研究了基于生长的30和40级有源区材料所制备器件的性能,探究了不同级数对器件性能的影响。相比于30级有源区器件,40级有源区器件单位面积等效输出功率没有明显提升,但器件性能随温度的升高迅速下降,这归因于更加显著的热积累效应和外延材料变厚导致的质量恶化。因此,在通过增加有源区级数提升器件功率时,需要充分考虑有源级数、热积累和材料生长质量等因素之间的平衡。MOCVD是半导体材料产业界普遍采用的技术,本研究工作对于提升QCL材料制备效率、推进QCL技术产业化应用具有重要意义。
孙永强费腾黎昆郭凯张锦川卓宁刘俊岐王利军王利军贾志伟刘舒曼刘峰奇贾志伟
关键词:激光器量子级联激光器金属有机物化学气相沉积高功率
GaAs/AlGaAs量子级联激光器自脉动动力学
2007年
利用步进扫描时间分辨傅里叶变换红外光谱,研究了波长9.76μm GaAs/AlGaAs量子级联激光器的准连续波激射谱.在驱动电流周期内,时间上堆叠的发射谱能够观察到明显的光强自脉动现象.有源区中的自加热积累大大影响了电子的驰豫和输运性质.热引起的在注入区较高子能级中占据的载流子由于这些子能级与下一注入区的连续态形成共振条件而泄露,而耦合阱有源区中第四子能级的存在加快了这个过程.周期性破坏和恢复的共振条件所引起的载流子泄露在很大程度上导致了时域堆叠光谱的自脉动.
刘俊岐刘峰奇李路邵烨郭瑜王占国
关键词:量子级联激光器自脉动分子束外延
量子点级联激光器研究
刘峰奇卓宁张锦川翟慎强王利军刘俊岐王占国
共15页<12345678910>
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