张晓东
- 作品数：32 被引量：24H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术生物学政治法律更多>>
- 基于Volterra级数的HBT功率放大器负载阻抗的优化设计
- 2010年
- 利用Volterra级数法,研究了InGaP/GaAs HBT功率放大器的非线性失真,分析了非线性指标IP3和功率放大器负载阻抗的关系,完成了功率放大器负载阻抗的优化设计;采用2μmInGaP/GaAs HBT半导体工艺进行流片。测试结果表明,设计的功率放大器在不影响输出功率和功率附加效率的前提下,线性度得到较大改善,IP3提高6 dB,与理论分析及计算机仿真结果相吻合。
- 滑育楠梁聪张晓东高怀
- 关键词：功率放大器VOLTERRA级数负载阻抗INGAP/GAASHBT
- 镜像法在计算LDMOS热模型中的运用
- 2010年
- 计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续性条件,获得单指条器件纵向温度分布函数。将所有热源在表面上点的温度进行叠加,得到多指条并联时器件的横向温度分布图。基于MATLAB编程计算,结果表明:镜像法简单实用且能更精确的计算出温度的梯度分布。此计算结果可用于开发精确的器件热模型。
- 杨烨滑育楠孙晓红张晓东高怀
- 关键词：横向扩散金属氧化物半导体镜像法MATLAB温度分布
- 一种用于RF LDMOS功率放大器的匹配技术被引量：4
- 2011年
- 介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上。仿真及测试结果表明,当频率为950 MHz时,该RF LDMOS功放的P-1 dB达到了48.8 dBm,直流到射频信号的转换效率达到了66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本处在-30dBc以下,同时在整个869～960 MHz工作频带内,其S11小于-10 dB。
- 王锋胡善文张晓东高怀
- 关键词：等效电路模型
- 一种新型提高射频功率放大器PAE的电路技术被引量：2
- 2011年
- 提出了一种新型提高射频功率放大器功率附加效率(PAE)的电路技术,该方法通过滤除二次谐波分量、反射叠加三次谐波分量以提高电路PAE,分析了相位匹配的机制及其影响因素。基于该技术设计了一款功率放大器,仿真结果表明:工作频率为918 MHz时,该功放的P_(1db)达到了30.05 dBm,功率附加效率达到了58.75%,较普通功放提高了12%,功率增益在20 dB左右。
- 郭瑜胡善文张晓东高怀
- 关键词：相位匹配谐波控制功率附加效率
- 一种基于XML语言的系统动力学仿真建模方法及引擎
- 本发明属于仿真建模技术领域，具体涉及一种基于XML语言的系统动力学仿真建模方法及引擎，依据系统动力学模型的特点，定义一种XML通用系统动力学仿真建模语言，将构建好的XML文件作为输入，解析XML文件以重构系统动力学模型；...
- 张晓东张贺高赞荣国平刘博涵邵栋
- 文献传递
- 基于Volterra级数快速设计AB类射频功放偏置电路被引量：1
- 2012年
- AB类是兼顾射频功率放大器线性度和效率的一种偏置类型,偏置电路对AB类功率放大器的性能有很大影响。为达到最优性能,通常偏置电路的参数需要通过多次试验来确定。本文提出了一种基于Volterra级数的优化设计方法,该方法利用Volterra级数和基尔霍夫电流定律(KCL),可以计算出兼顾放大器效率和线性的最佳输入偏置。由此可以在设计过程中快速确定最佳偏置参数,从而简化了设计和调测的过程。流片测试结果验证了这种设计方法的有效性。
- 张晓东程建春王锋
- 关键词：VOLTERRA级数线性度
- 分布式电热耦合LDMOLDMOS模型以及热记忆效应的研究
- 本文提出一种新型RF-LDMOS 功率器件大信号电热耦合模型，其热模型包括分布热模型和瞬时热模型。分布热模型采用3D 镜像方法预测LDMOS 功率器件温度随指条的分布，当器件等比例缩放时，也可采用此模型预测平均热电阻。瞬...
- 孙晓红张晓东李杰高怀
- 关键词：镜像法功率器件
- 文献传递
- 中国社会主义道德意识形态的当代建构
- 张晓东
- 关键词：社会主义道德道德教育
- 一种具有行波传输匹配网络的输入匹配电路
- 2011年
- 提出了一种用于宽带放大器的新型输入匹配技术,给出了一种带行波传输匹配(TWM)网络的宽带共集电极输入匹配电路,对其TWM网络进行了详细分析。基于AWR软件的仿真结果表明:该TWM网络在宽频带内具有良好的输入阻抗匹配特性。采用截止频率为29.5 GHz的2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一款具有TWM输入匹配网络的宽带放大器,并成功流片。测试结果显示,该宽带放大器在40 MHz^22 GHz频率范围内可获得良好的输入匹配,输入反射系数S11稳定在-10 dB以下,功率增益在7.5 dB左右,其带宽范围几乎接近于晶体管的特征频率,直流功耗仅为20 mW左右。
- 陈杰胡善文张晓东高怀
- 关键词：宽带放大器
- 一种能改善GaAsHBT自热效应的复合管
- 2011年
- 根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB提高了2 dB,线性得到了改善。
- 朱向伟胡善文梁聪张晓东高怀
- 关键词：HBT直流偏置自热效应线性度
