张晓娜
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Cd_(1-x)Zn_xTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响被引量：5
- 2001年
- 采用传统Bridgman方法和加入acceleratedcruciblerotationtechnique的Bridgman(缩写为ACRT B)方法生长的Cd1 -xZnxTe(x=0 .0 4)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷 .为了减少甚至消除这些缺陷 ,必须将生长后的CdZnTe晶片在Cd气氛下退火 .从Cd -Te和Cd0 .96 Zn0 .0 4Te的P T相图出发 ,详细讨论了CdZnTe晶体的气 固平衡条件 ,并以此为依据选择退火条件 ,对ACRT -B法生长的Cd0 .96 Zn0 .0 4Te晶体进行了退火实验研究 .实验结果表明 ,气氛中的Zn压在一定程度内高于平衡压力有利于晶体中多余Te向晶体表面扩散 ,即有利于消除Te沉淀 .但过高的Zn压会使晶体表面成分偏离原始的化学配比 .此时 ,晶体表面与气氛强烈的原子交换 ,将造成严重的表面损伤 ,形成一层结晶质量很差的表面层 .同时 ,Zn原子向晶内的扩散 ,抑制了退火过程中晶内杂质向晶体表面的扩散 .因此 ,在较低的Zn压下退火 (但仍处于气 固平衡范围内 ) ,能排除晶内杂质 .通过仔细研究不同条件下退火后晶片的结晶质量和断面成分分布 ,可以认为CdZnTe晶体的退火可分为去沉淀相退火、去杂质退火和均匀化退火几种 ,最佳的退火工艺应是多步骤。
- 李宇杰张晓娜介万奇
- 关键词：退火晶体
- Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的缺陷分析与退火改性
- 该文首先研究了晶片的腐蚀过程,观察随腐蚀程序的逐渐加深,晶片表面缺陷蚀坑形貌的变化.实验发现:晶界和沉淀相蚀坑的出现要先于位错蚀坑的出现.对晶片内各种缺陷和性能进行了分析、测试,主要包括显微结构的观察、红外透过率的测定、...
- 张晓娜
- 关键词：碲锌镉位错沉淀相偏析退火
- 文献传递
- 碲锌镉晶体退火改性方法
- 本发明涉及一种碲锌镉晶体退火改性方法,本方法针对布里奇曼法生长的碲锌镉晶锭中切出的晶片,通过退火改性来提高晶片成分的均匀性和电阻率,达到制造X射线及γ射线探测器的要求。先选用原子百分比为Cd∶Zn＝100∶1的金属液作为...
- 介万奇李国强李宇杰张晓娜谷智
- 文献传递
- 碲锌镉晶体退火改性方法
- 本发明涉及一种碲锌镉晶体退火改性方法，本方法针对布里奇曼法生长的碲锌镉晶锭中切出的晶片，通过退火改性来提高晶片成分的均匀性和电阻率，达到制造X射线及γ射线探测器的要求。先选用原子百分比为Cd∶Zn＝100∶1的金属液作为...
- 介万奇李国强李宇杰张晓娜谷智
- 文献传递
