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张林

作品数:7 被引量:22H指数:1
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇中频磁控溅射
  • 3篇离子辅助沉积
  • 3篇纳米硅
  • 3篇纳米硅薄膜
  • 3篇硅靶
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇低碳钢
  • 2篇电离规
  • 2篇元胞
  • 2篇元胞自动机
  • 2篇碳钢
  • 2篇铁素
  • 2篇铁素体
  • 2篇自动机
  • 2篇相变
  • 1篇电子性质
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究

机构

  • 7篇中国科学院金...
  • 2篇东北大学
  • 1篇辽宁工业大学

作者

  • 7篇张林
  • 3篇王绍青
  • 3篇闻立时
  • 3篇石南林
  • 3篇高俊华
  • 3篇孙超
  • 3篇宫骏
  • 3篇肖金泉
  • 1篇刘永利
  • 1篇叶恒强
  • 1篇张彩碚
  • 1篇卞寿亮
  • 1篇王元明
  • 1篇程大勇
  • 1篇赵星

传媒

  • 1篇金属学报
  • 1篇2008中国...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2008
  • 2篇2004
  • 1篇2002
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置
本实用新型涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置。包括真空室、抽气装置,其特征在于:所述溅射真空装置内设有非平衡态向下溅射的平面孪生硅靶,孪生硅靶下方设有基片加热台,基片加热台与孪...
肖金泉高俊华闻立时张林石南林宫骏孙超
文献传递
氮化镓半导体中扩展缺陷的电子性质研究
王绍青程大勇张林卞寿亮
该项目研究采用分子动力学方法通过计算模拟获得了六角GaN薄膜中扩展缺陷的准确原子构型。通过第一原理密度泛函计算研究了氮化镓及其相关Ⅲ~Ⅴ族化合物的力学性质、能带结构和压电效应。氮化镓具有很高的击穿场强,很高的热导率和非常...
关键词:
关键词:电子性质
一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置
本发明涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法,采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶,在基体上沉积纳米硅薄,采用...
肖金泉高俊华闻立时张林石南林宫骏孙超
文献传递
TiAl/Ti3Al体系剪切变形的分子动力学研究
利用分子动力学方法研究了正化学比的TiAl/Ti3Al双相体系中剪切变形诱发位错形核以及相关结构转变的动态过程以及切变力场对最终结构的影响。研究发现,在TiAl/Ti3Al双相体系中剪切变形诱发黏滞-滑移式的滑移行为;界...
刘永利赵星张宗宁张林王绍青叶恒强
关键词:分子动力学剪切变形
文献传递
连续冷却过程中低碳钢奥氏体→铁素体相变的元胞自动机模拟被引量:22
2004年
采用低碳钢连续冷却过程中奥氏体→铁素体相变的元胞自动机模型,模拟了铁素体晶粒形核与生长的全过程,模型中考虑了溶质扩散在相变过程中的作用,在元胞自动机的网格内,晶粒的形核与生长用两个概率的变化来描述它们之间在相变过程中的相互竞争关系,给出了形核与生长的元胞自动机规则,总结了元胞自动机方法解决铁素体晶粒形核与生长问题的过程,并在该模型的基础上分析了冷却速率等因素对于晶粒形核与生长的影响。
张林张彩碚王元明王绍青
铁素体晶粒形核与生长的元胞自动机模拟
建立一个元胞自动机模型模拟了铁素体晶粒形核与生长的全过程,模型中考虑了溶质扩散在相变过程中的作用。在元胞自动机的网格内,晶粒的成核与生长用两个概率的变化来描述它们之间在相变过程中的相互竞争关系,给出了成核与生长的元胞自动...
张林王绍青叶恒强
关键词:晶粒相变低碳钢元胞自动机
文献传递
一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置
本发明涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法,采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶,在基体上沉积纳米硅薄,采用...
肖金泉高俊华闻立时张林石南林宫骏孙超
文献传递
共1页<1>
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