张鑫鑫
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：南省应用基础研究计划重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：建筑科学理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 济南将军庙历史文化街区保护与发展研究
- 张鑫鑫
- 济南将军庙历史文化街区活力复兴策略研究被引量：1
- 2022年
- 济南将军庙历史文化街区属于济南三大历史文化街区之一,该街区拥有较多历史文化建筑,且大部分保存相对完好,属于能集中体现济南传统风貌的历史文化街区。但该街区目前仍存在种种问题,威胁着街区的完整性与延续性,导致街区失去了原有的活力,为恢复街区原有活力以及促使街区能够较好地保存下去,通过文献分析与实地调研相结合的方法,从街区景观、街区居民、文化遗产传承等方面对街区现状进行分析,总结出影响街区活力复兴的因素,从而提出将军庙历史文化街区活力再生的策略与途径。
- 张鑫鑫
- 转印倒置模板法制备有序锗纳米点阵
- 本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是利用倒置多孔氧化铝模板，转印有序点阵技术，利用溅射技术制备有序高密度锗纳米点阵的制备方法。本发明采用经典两步阳极氧化法制备多孔氧化铝不通孔模板，然后利用溅射技术，在保持高真空...
- 靳映霞杨宇李亮张鑫鑫
- 文献传递
- 高速率沉积磁控溅射技术制备Ge点的退火生长研究
- 2014年
- 采用磁控溅射技术在Si衬底上以350?C沉积14 nm的非晶Ge薄膜,通过退火改变系统生长热能,实现了低维Ge/Si点的生长.利用原子力显微镜(AFM)和拉曼(Raman)光谱所获得的形貌和声子振动信息,对Ge点的形成机理和演变规律进行了研究.实验结果表明:在675?C退火30 min后,非晶Ge薄膜转变为密度高达8.5×109cm-2的Ge点.通过Ostwald熟化理论、表面扩散模型和对激活能的计算,很好地解释了退火过程中,Ge原子在Si表面迁移、最终形成纳米点的行为.研究结果表明用高速沉积磁控溅射配合热退火制备Ge/Si纳米点的方法,可为自组织量子点生长实验提供一定的理论支撑.
- 张鑫鑫靳映霞叶晓松王茺杨宇
- 关键词：磁控溅射激活能
- 磁控溅射Ge/Si量子点自组装生长及有序量子点阵制备
- 张鑫鑫
- 转印倒置模板法制备有序锗纳米点阵
- 本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是利用倒置多孔氧化铝模板，转印有序点阵技术，利用溅射技术制备有序高密度锗纳米点阵的制备方法。本发明采用经典两步阳极氧化法制备多孔氧化铝不通孔模板，然后利用溅射技术，在保持高真空...
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- 文献传递
