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杨建兴

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中北大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇调制
  • 2篇跨导
  • 1篇异质结
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇N-MOSF...
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇MOSFET
  • 1篇MOSFET...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管

机构

  • 2篇中北大学

作者

  • 2篇杨建兴
  • 1篇温廷敦
  • 1篇闫仕农

传媒

  • 1篇科技传播

年份

  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
N-mosfet跨导调制的器件设计
2011年
本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小。主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变。设计了在压力作用下跨导可以调制的mosfet器件。基于量子力学理论详细的介绍了器件的设计及理论依据。
杨建兴闫仕农温廷敦
关键词：跨导GAAS/ALGAAS异质结迁移率
压力对MOSFET跨导调制的研究
MOSFET器件具有稳定性好、安全工作区大等优点，所以很早就引起了人们的关注。早在上个世纪60年代研究人员就开始对MOSFET的内部结构和工作原理做了相应的分析。跨导作为MOSFET的一个重要参数描述的是栅电压对源漏极电...
杨建兴
关键词：MOSFET器件场效应管
文献传递
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