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杨昆

作品数：24 被引量：9H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程自动化与计算机技术天文地球更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇半导体
  • 4篇导电类型
  • 4篇电阻
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇导通
  • 3篇损耗
  • 3篇终端结构
  • 2篇导航
  • 2篇导通电阻
  • 2篇地磁
  • 2篇地磁场
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷平衡
  • 2篇阳极
  • 2篇阳极电阻
  • 2篇载流子
  • 2篇深槽
  • 2篇漂移区
  • 2篇终端区

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇杨昆
  • 9篇王睿
  • 9篇乔明
  • 9篇张波
  • 9篇李肇基
  • 9篇章文通
  • 8篇王卓
  • 4篇张森
  • 1篇康戈文
  • 1篇李洪

传媒

  • 1篇船海工程

年份

  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2006
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种IGBT功率器件
本发明提供一种IGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过把具有高深宽比的超结区引入漂移区表面或者体内，这样就能在开态时利用超结的相互耗尽做到减少漂移区少子的存储效应，在关断的时候就会有更少的载流子抽取，那么就缩短...
章文通杨昆何俊卿王睿乔明王卓张波李肇基
文献传递
分离栅VDMOS器件的终端结构
本发明提供一种分离栅VDMOS器件的终端结构，包括有源区结构和终端区结构，本发明通过将分离栅深槽与第一道终端深槽相连，二者共用接触孔进行引出，减少了设计器件版图结构时所要考虑的参数，简化器件的版图结构设计，同时将三维耗尽...
章文通何俊卿王睿杨昆乔明王卓张波李肇基
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数字有机体数据库容错机制的设计
这些年来，没有中心节点的非集中式分布式系统逐渐成为人们研究的热点。这种系统它不存在单个节点的故障，具有很强的扩展能力，并且能够在广域网的范围内对外提供服务。但是由于其应用领域大多只是局限于文件共享，容错的要求比较低，因此...
杨昆
关键词：数字有机体数据库容错机制分布式技术并行处理
文献传递
横向超结器件低比导通电阻研究与设计
由于超结器件在缓解器件击穿电压VB与比导通电阻Ron.sp矛盾方面具有突出的优势，因此被大量的研究与实验。由于超结器件满足Ron?sp∝VB1.32关系打破了传统纵向器件Ron?sp∝VB2.5“硅极限”关系，被国际誉为...
杨昆
关键词：比导通电阻击穿电压
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重力场和地磁场辅助惯性导航技术研究
以潜艇为代表的水下工具需要长时间在水下隐蔽航行，严重依赖于无源导航系统。利用地球自有物理场来辅助惯性导航的无源导航理论和方法是现阶段国内外研究机构和学者研究的一个热点，而重力辅助导航技术和地磁辅助导航技术是其中的两个重要...
杨昆
关键词：重力场地磁场
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分离栅VDMOS器件的终端结构
本发明提供一种分离栅VDMOS器件的终端结构，包括有源区结构和终端区结构，本发明通过将分离栅深槽与第一道终端深槽相连，二者共用接触孔进行引出，减少了设计器件版图结构时所要考虑的参数，简化器件的版图结构设计，同时将三维耗尽...
章文通何俊卿王睿杨昆乔明王卓张波李肇基
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一种IGBT功率器件
本发明提供一种IGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过把具有高深宽比的超结区引入漂移区表面或者体内，这样就能在开态时利用超结的相互耗尽做到减少漂移区少子的存储效应，在关断的时候就会有更少的载流子抽取，那么就缩短...
章文通杨昆何俊卿王睿乔明王卓张波李肇基
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一种超结LIGBT功率器件
本发明涉及一种超结LIGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向IGBT的阳极电阻区内引入第二导电类型掺杂层，来控制电流在阳极电阻区的流动路径，进而控制阳极电阻区的压降，这样就能抑制LIGBT的snapbac...
章文通杨昆何俊卿王睿张森乔明王卓张波李肇基
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一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构
本发明提供一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型轻掺杂漂移区内引入槽型介质条环，使得N型轻掺杂漂移区内的环型介质承担了主要耐压，这样就避免了...
章文通杨昆何俊卿王睿张森乔明王卓张波李肇基
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具有低栅电荷特性的垂直沟道器件及制造方法
本发明提供一种具有低栅电荷特性的垂直沟道器件及制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第三介质氧...
章文通何俊卿杨昆王睿乔明王卓张波李肇基
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